SiC・GaN・GaPなど！さまざまな化合物半導体結晶の研磨加工が可能
日本エクシードでは、SiC、GaN、GaPなど、様々な化合物半導体結晶の 研磨加工を行っております。 パターン形成済み化合物ウエーハについても薄く仕上げることが 可能となり、お客様への納品方法を含め対応できます。 当社は、さまざまな加工素材の研磨ニーズにお応えいたします。 【特長】 ■様々な化合物半導体結晶の研磨加工が可能 ■お客様への納品方法を含め対応できる ■厚み：20μm～ ■表面粗さの実力値 GaP表面粗さ：0.1nm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【化合物半導体ウェーハ(抜粋)】 ■SiC ■GaN ■GaP ■GaAs ■パターン付きウェーハの裏面加工 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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EXCEED エクシードには、すべてを超えるという意味があります。 その意味をもつ私達の社名は、そのまま私達の仕事への姿勢やこだわりを物語っています。 常に限界を超える研磨技術を探究し、研磨の世界を究めたいと考えています。 より平坦に、より滑らかに、より薄く、より美しく。 様々な分野を超える研磨技術と蓄積と経験から新しい可能性が生まれるのです。
