高速フォトダイオードとFemto社製高速カレントアンプの技術を組合わせた200MHzフォトレシーバ
■ダイオードタイプはSi製／InGaAs製の二種類で、波長域はそれぞれ320～1000nm／900～1700nm ■トランスインピーダンスは2×104V/Aで、最大変換利得はInGaAsモデルで1550nmで2×104V/W ■洗練されたDCカップルマルチステージアンプ設計により、最小立上り時間1.8nsに相当するバンド幅DC～200MHzの測定が可能 ■最小NEP値は約6pW/vHzで、μWレンジの光パワーシグナルも余計な平均化を行うことなく検出できる
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基本情報
■波長範囲：400～1700nm ■バンド幅：DC～400kHz ■最大変換ゲイン：107V/W ■最小：NEP75fW/vHz
価格帯
10万円 ~ 50万円
納期
~ 1ヶ月
用途／実績例
■分光 ■高速パルス／トランジェント測定 ■光トリガー ■オシロスコープ・A/Dコンバーター／RFロックインアンプ用光フロントエンド
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企業情報
■バーコード関連の新製品 ■レーザダイオード関連 ■光ファイバコネクタ加工を請け賜ります。 ※通信用から大口径まで短納期随時受付中！ ■超安定化LDモジュール・光源装置製作 ■各種半導体レーザの輸入販売 ■光変調器及び光周辺部品の輸入販売 ■その他、理化学機器・部品の輸入販売
