次世代パワー半導体ウェーハSiC/GaN用パーティクル検査装置
ノンパターンSiCバルクウェーハ 0.1μm検出。 微小スクラッチ検出。 SiCやGaNウェーハの洗浄確認に最適です。 自動搬送とマニュアル搬送が選択できます。 顕微鏡観察機能で測定後のレビューができます。
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基本情報
検出感度：0.1μm （SiCバルク、ベアシリコン） レーザ波長：355nm ウェーハサイズ：8インチ以下 外観寸法：(W)1530 x (D)1200 x (H)1900mm 用力：(電気）100V （圧空）0.4MPa以下 6mmワンタッチ接手 （バキューム）-70kPla以下 6mmワンタッチ接手、-40kPa以下 8mmワンタッチ接手。
価格情報
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価格帯
1000万円 ~ 5000万円
納期
用途／実績例
SiC/GaNウェーハの洗浄確認。 SiCプロセス装置チャンバーのコンタミ確認（プロセスモニター）。 SiC/GaNウェーハの出荷確認。 SiC/GaNウェーハの受け入れ検査。 Epi/成膜ウェーハの出来栄え確認。
カタログ（1）
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企業情報
当社は、平成６年に半導体、液晶製造工程での検査及び試験製造装置開発、製造を目的に設立され、現在は半導体用ウェーハ検査装置を中心に事業展開を行っており、幅広いお客様に当社検査装置を導入頂いております。近年は省電力化や次世代通信に対応する化合物ウェーハのパーティクル検査モデルを開発・販売し、次世代半導体検査装置への展開を進めております。今後も魅力ある製品をご提供できるよう努力を続けてまいります。