優れた高純度・耐食性！半導体製造装置部品として高い性能を発揮します
『CVD-SiC』は、CVD法（気相成長法）で製造したバルクSiCです。 高純度、耐食性に優れ、半導体製造装置部品として高い性能を発揮。 長寿命で、SiCコート品におけるピンホール、剥離の問題が発生しません。 また、プロセスによって適したグレードを選択できます。 【特長】 ■高純度・優れた耐食性 ■長寿命 ■低抵抗、高抵抗グレード ■プロセスによって好適なグレードを選択可能 ■SiCコート品におけるピンホール、剥離の問題が発生しない ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【特性】 ■色調：黒 ■密度（g/cm3）：3.21 ■曲げ強度（Mpa）：370 ■熱伝導率（W/m・K） ・250（HR） ・220（ELR） ■電気抵抗率（Ω.cm） ・>1 (HR) ・<0.1 (ELR) ■破壊靭性（Mpa/m1/2)：2.94 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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納期
用途／実績例
【用途】 ■エッチャー装置部品 ■ウエハトレイ ■レンズ成型用型 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
当社の機能材料部では、ユニオン・カーバイド・コーポレーションの 中核商材であった炭素・黒鉛製品、特殊セラミック原料・製品に加え、 ナノテクノロジーなど先進技術による、材料・装置をはじめ、 高度な技術サービスをご提供しております。 ご要望の際はお気軽にお問合せください。
