【事例】「Particle-PLUS」イオンビームの質量分析

基本情報

【特長】 ●時間スキームに陰解法を用いており、通常の解法に比べて大きな 　計算時間幅　Δt　で安定に時間発展を求めることが可能 ●中性ガスと電子およびイオンとの衝突反応モデルには 　 onte-Carlo　Scattering 法を採用しており、複雑な反応過程を精度良く、 　 迅速に計算が可能。 ●中性ガスモジュールは上記プラズマモジュールで用いる初期中性ガス 　 分布を求めるもので、DSMC法を用いて短時間でガス流れを評価できます ●スパッタ粒子モジュールはマグネトロンスパッタ装置などにおいて、 ターゲットからスパッタされた原子のプラズマおよび中性ガス中の挙動を 　 求めるもので、対向基板上へのフラックス分布などが短時間で評価が可能 ※その他機能や詳細については、お気軽にお問い合わせ下さい。

価格帯

納期

~ 1ヶ月

用途／実績例

【二周波容量結合型プラズマ】 ・　高密度プラズマを得るための電圧などの最適化 ・　チャンバー壁の損傷 ・　外部回路モデルを用いた電力の最適化 －　現実の装置に沿った電圧を電極板に印加することが可能 －　印加電圧の波形がなめらかで比較的現実的な電圧でシミュレーションが可能 －　無理な電圧を掛けないために計算が比較的安定 【DC マグネトロンスパッタリング】 ・　磁場分布依存のエロージョンの均一性 ・　スパッタされた材料の基板への吸着分布 【パルス電圧マグネトロンスパッタリング】 ・　効率良く材料をスパッタさせるためのパルス電圧の印加時間などの最適化 【イオン注入】 ・　Sus がエロージョン分布に及ぼす影響 【電極板の印加電圧の時間推移】 ・　電子密度やイオン速度分布など，実験測定では見ること困難な 　　物理量を見ることが可能 ・　電子密度やイオン速度分布を調べることで，膜の均一性やチャンバー壁の損　　傷を調べることが可能 ・　計算条件を変更して，低電力で高密度プラズマ発生の最適化が可能

詳細情報

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  イオンビーム 得られるイオンビームを示しています。 図中のイオンビームは計算結果を示しておりませんが、上記の計算結果のイオンビームを用いて、イオンと物質の相互作用などを計算することが可能です。

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  イオン加速器 図は電圧を掛けたリングを通過するごとにイオンが加速するシミュレーション結果を示しています。 コンター図はイオンのエネルギーを示しています。 概ねイオンは電位差の大きさ加速するために、-50eVのリンクを通過したイオンのエネルギーは50keVに達します。

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  イオン分析装置 図は一様な磁場中を運動するイオンを計算することで、イオン分析装置内をシミュレーションした結果です。 コンター図は各イオンの密度分布を示しています。 ここでは、炭素イオンを取り出すことを想定しております。 炭素よりも軽いベリウムは磁場により大きく曲がり、炭素よりも重いマグネシウムは炭素よりも小さく曲がります。