イオン注入、あるいはスパッタリング現象そのものに関する計算を行うことが可能！
『動的モンテカルロシミュレーションソフトウェア（SASAMAL）』は、 2体衝突近似に基づくモンテカルロ法によるシミュレーションコードです。 アモルファスターゲットに高エネルギーのイオンが入射した際の スパッタリング率、スパッタリング原子の放出角度分布・エネルギー分布、 入射粒子の後方散乱する割合・角度分布・エネルギー分布、イオンの ターゲットへの侵入深さ（Depth Profile）を計算。 各種材料のスパッタリング率の、イオンの入射エネルギー依存性や 入射角度依存性の評価、イオン注入による材料の表面改質プロセスの 評価などに利用できます。 【特長】 ■当製品単体のみを用いた場合でも、イオン注入、あるいはスパッタリング 現象そのものに関する計算を行うことが可能 ■PIC-MCCMやDSMCM と組み合わせて用いた場合、広い範囲の装置パラメータの 影響を調べることも可能 ■装置のガス圧とスパッタリング率の関係なども評価することができる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【機能一覧（一部）】 ■応用分野：イオン注入による表層挙動、イオンビームミキシング、DLC膜形成挙動、スパッタリング現象解析 ■モデリング手法：粒子法 ■解析手法：2体衝突近似に基づく動的モンテカルロ法 ■対象次元：1次元 ■ソルバー：ドライバー SASAMAL／モジュール SASAMAL ■GUI機能：付属のGUIMを使用（PNGファイル出力、印字出力、テキストデータ入出力、表示画面の任意拡大縮小） ■プレポスト：付属のGUIMを使用 ■付属機能 ・表面結合エネルギーのデータベースを内蔵 ・弾き出しエネルギーのデータベースを内蔵 ・反跳カスケード追跡 ・バックグラウンド計算 ■解析規模：無制限（実際にはメモリー容量と計算時間で制限されます） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯
納期
用途／実績例
【用途】 ■各種材料のスパッタリング率の、イオンの入射エネルギー依存性や入射角度依存性の評価、 イオン注入による材料の表面改質プロセスの評価など ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
真空／プラズマ／希薄気体及び、気体エレクトロニクス分野における物理現象を解析するソフトを自社開発／販売を志して独立した企業です。私どもでは創造力、開発力、技術力そして競争力を企業精神としております。
