InfineonのTRENCHSTOP(TM)テクノロジーを用いた製品を解析！
当社では、『Infineon製IGBT6(IKQ75N120CS6XKSA1)構造解析レポート、 プロセス解析レポート』をご提供しております。 本レポートでは、IGBT4(HighSpeed3)、IGBT5とIGBT6の特性比較などを 行っております。ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【レポート内容】 ■構造解析レポート ・パッケージ外観、X線観察、パッケージ断面解析、チップ構造解析、EDX材料分析 ・電気特性測定(耐圧、IC-VCE、容量特性) ・HighSpeed3 IGBT、IGBT5との特性比較 ■プロセス解析レポート ・構造解析結果に基づく、製造プロセスフローおよびデバイス特性解析レポート ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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基本情報
【目次】 ■構造解析レポート 1．表1：デバイスサマリー 2．パッケージ解析 3．Si IGBTチップ解析 4．電気特性評価 5．付録 EDX分析結果 ■プロセス解析レポート 1．Infineon第6世代IGBT6(IKQ75N120CS6)エグゼクティブサマリー 2．Infineon第6世代IGBT6(IKQ75N120CS6)解析結果まとめ 3．プロセスフロー 4．電気特性評価 5．関連文献目録 6．関連特許目録 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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企業情報
当社は、1988年から長年に渡って培ってきた半導体をベースにした解析技術と、特許などの知的財産(IP)の調査/解析に関する長年の経験との双方を駆使して、お客様のご要求に応じた技術情報（レポート）を提供することを主要業務とした技術サービス会社です。
