STMicroがどのように高温(Tj=200℃)連続動作を実現したのかを解析！
当社では、『高温動作パワートランジスタの解析レポート』を ご提供しております。 本レポートは、SiC系のSTMicro製のパワーMOSFET(SCT30N120)が どのようにして高温(Tj=200℃)での動作を実現したのかについて 着目して解析を行った技術レポートです。 【解析技術】 ■半導体チップ構造/材料(デバイス材料、熱膨張に対する技術について) ■ボンディングワイヤ(熱サイクルにより発生するクラックや剥離に 対する技術について) ■ダイアタッチ材の構造、材料(温度耐性に対する工夫について) ■モールド封止樹脂(特殊材料添加による温度耐性強化について) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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【Table of Contents】 1．解析結果(Executive summary) 2．実装部のキーテクノロジー 3．デバイスのキーテクノロジー 4．モールド樹脂のキーテクノロジー ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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企業情報
当社は、1988年から長年に渡って培ってきた半導体をベースにした解析技術と、特許などの知的財産(IP)の調査/解析に関する長年の経験との双方を駆使して、お客様のご要求に応じた技術情報（レポート）を提供することを主要業務とした技術サービス会社です。