富士電機製EV、HEV用IGBTモジュール(6MBI800XV-075V-01)について解析！
当社では、『富士電機製EV、HEV用IGBTモジュール(6MBI800XV-075V-01) 構造解析、プロセス、デバイス特性解析レポート』をご提供しております。 RC-IGBTのIce-Vce特性、オフ状態コレクタリーク電流及びブレーダウン電圧を それぞれ測定し、オフリーク電流の温度依存性から活性化エネルギーを算出。 インフィニオン社製IGBT7と比較しています。 【解析のポイント】 ■モジュール解析レポートでは、モジュールの内部構成を確認し、RC-IGBTの 配置及びレイアウトを明らかにしている ■チップ構造解析レポートでは、RC-IGBTのIGBT、FWD領域の平面レイアウト 及び断面構造を明らかにしている ■プロセス解析レポートでは、RC-IGBTのプロセス技術に関する考察、 マスク枚数及び製造プロセスフローを推定している など ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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基本情報
【目次】 ■RC-IGBTモジュール構造解析レポート 1．表1：デバイスサマリー(モジュール) 2．モジュール外観観察 3．モジュール構成 4．冷却法、構成 5．モジュール断面構造・材料分析(EDX) 6．関連特許目録 ■RC-IGBTモジュールIGBTチップ構造解析レポート 1．デバイスサマリー 2．搭載チップ概要 3．Si IGBTチップ解析 4．セル部EDX分析結果 5．追加解析リスト ■RC-IGBTモジュールIGBTプロセス、デバイス特性レポート 1．Fuji Electric RC-IGBT(6MBI800XV-075V-01)エグゼクティブサマリー 2．RC-IGBTデバイス構成 3．プロセス技術に関する観察と考察 4．製造プロセスフロー解析 5．電気特性評価 6．関連文献目録 7．関連特許目録 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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当社は、1988年から長年に渡って培ってきた半導体をベースにした解析技術と、特許などの知的財産(IP)の調査/解析に関する長年の経験との双方を駆使して、お客様のご要求に応じた技術情報（レポート）を提供することを主要業務とした技術サービス会社です。