すぐに動作実験が可能なSiC インバータセット
SiC 三相インバータとコントローラ、サンプルソフトウェア等を組み合わせて、制御用のAC100V を投入するだけで三相インバータとして動作させられるようにしたセットです。ROHM 製SiC-MOSFETを6 個搭載した三相フルブリッジインバータで、最大定格電力10kVA での動作が可能です。24V の制御電源とサンプルソフトが付属します。 【特長】 ■すぐに動作実験が可能なSiC インバータセット 電源・負荷への配線のみですぐに実験が可能 ■多数の回路構成・動作条件で実験 サンプルソフトでチョッパやインバータ動作に切替可能 操作ボードでスイッチング周波数・変調率等を変更 ■HSDT-KIT-B（P27）併用でソフトウェア開発も可能
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基本情報
【ラインナップ(一部抜粋)】 ＜制御機・開発環境＞ ■パワーエレクトロニクス開発用組込コントローラ：HECS-B/A ■多ゲート出力パワエレ用コントローラ：HEC1-S1-B ■パワーエレクトロニクス開発支援キット：HSDT-KIT-B ＜制御器/オプション＞ ■HECS用拡張インターフェースボード：HC-EXIF-A ■HECS用操作ボード：HC-OP-A ＜主回路/ハーフブリッジ・双方向スイッチ＞ ■SiCパワーデバイス搭載回路ブロック：HGCB-2A-401350 ■GaNパワーデバイス搭載回路ブロック：HGCB-2B-401150 ■双方向スイッチ回路ブロック(SiC)：HGCB-2C-401100(単体) HGCB-6C-401100(3枚筐体セット) ＜主回路/Hブリッジ・三相インバータ＞ ■組込回路ブロックHブリッジ(SiC)：HGCB-4A-401200(単体) HGCB-4×4-401200(4枚筐体セット) など ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯
10万円 ~ 50万円
納期
~ 1週間
※在庫状況、数量により納期が変動しますので、お気軽にお問合せください。
用途／実績例
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企業情報
ヘッドスプリング株式会社は、パワーエレクトロニクス分野の開発支援を中心とした各種事業支援を展開しています。特にSiC、GaNなどの次世代パワー半導体活用など「先端技術を極める力」とその先端技術の恩恵を誰もが簡単に受けることを実現する「モジュールコンセプト」、さらにこれらを組み合わせてお客様の新エネルギー製品を事業化する突破力を強みとしています。