アイソレータ不要で装置の小型化・低コスト化に貢献！エピウエハのカスタム試作から量産まで一貫したサポート
シリコンフォトニクスに適した1300 nm帯量子ドットレーザです。 最高200℃での安定動作。光電子集積回路の高密度実装化に貢献します。 優れた戻り光耐性でアイソレータ不要のため、装置の小型・低コスト化に好適です。 【特長】 ■最高200℃での安定動作、レーザアレイによる高密度化可能 ■優れた戻り光耐性（量子ドット<-130dB/Hz・量子井戸<-120dB/Hz at -30dB） ■高温環境での高い信頼性（推定寿命>30万時間at 85℃） ■用途に応じた広帯域利得スペクトルへのカスタマイズ可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【量子ドットレーザ】 ■波長：1240 nm - 1330 nm 【エピウエハ】 ■波長：1100 nm - 1300 nm ■エピウエハ、回折格子付きウエハに対応 ・基板接合用ウエハ ・FP/DFBレーザ、ゲインチップ用ウエハ ■エピ構造のカスタマイズ可能 ■試作から量産まで一貫したサポート ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯
納期
用途／実績例
【適用例】 ■シリコンフォトニクス ・データセンタ内通信 ・スーパーコンピュータ ・LiDAR（FMCW, ToF） ・車載通信 ・携帯電話基地局通信 ■地下資源探査（175-200℃） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
株式会社QDレーザのレーザデバイス事業部では、GaAs基板をプラットフォームとする通信・産業用の高機能半導体レーザやエピタキシャルウエハを製造・販売しています。 独自の半導体結晶成長技術とグレーティング形成技術をコア技術とし、ウエハ、レーザ素子、モジュール設計技術により、波長532nmから660nm, 1064nm, 1310nmの高性能・高品質な半導体レーザを製品化しております。 お客様のニーズに合わせた高付加価値製品を提供してまいります。
