次世代パワー半導体デバイス・材料の最新評価技術,最先端シミュレーション技術を詳説
本書『次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術』では，現在の主役であるシリコンパワー半導体,ならびに次世代パワーエレクトロニクスの中心となるワイドバンドギャップ材料による次世代パワー半導体デバイスを軸に編集された。半導体結晶からデバイス設計，プロセス装置，高耐熱実装技術だけでなく，その材料特性,デバイス特性等の最新評価技術,さらには最先端シミュレーション技術についても詳細に紹介している。今後の伸長が大いに期待できる車載機器や通信機器応用だけでなく，家電・鉄道を含めた産業機器への展開を視野に詳細に解説しており幅広い内容を網羅することができた。脱炭素社会の実現に向けて次世代パワー半導体デバイスの普及をいかに拡大させるか，本書が役立つことを大いに期待したい。
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基本情報
監修：岩室憲幸 / 筑波大学 体裁：A4並製本・254ページ 発刊：2022年7月27日 第1章 次世代パワーデバイスの動向と技術課題 第2章 次世代パワーデバイス・基板・材料の評価・解析技術 第3章 次世代パワーモジュール・構成材料、パワエレ製品・周辺材料の高信頼化と評価・解析技術
価格情報
60,000円 別途消費税
価格帯
1万円 ~ 10万円
納期
~ 1週間
用途／実績例
大学・研究機関の研究文献、企業の製造・技術・研究担当者向け
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S&T出版は、研究者・技術者に向けた技術専門書籍を出版しています。
