5G 基地局用450W 内部整合GaN HEMT、9dBバックオフで55Wパワー
ファラッドは、HF、高周波GaN/LDMOSパワートランジスタを設計製造するISO9000/ISO14000認証メーカーInnogrationTechnologies（中国）社製品の取扱いを開始しました。 日本及び世界の半導体製造装置、工業用マイクロ波アンプ・ジェネレータ、4G/5G通信等の用途に数多く実績があります。 高効率・高出力を目指し2.45GHz帯390W GaN HEMT、5GHz帯100W GaNドーハティモジュール。各種パッケージに対応。 ※詳しくはPDF資料をダウンロードいただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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良い商品をすこしでも皆様に低価格で提供できるよう、間接コストを徹底的に切り詰めるなどの努力も怠らぬように努めております。同業他社にくらべても実質的な価値が高い商品だと認めていただけるものをご提供しているものと自信を持っております。