InGaAsフォトダイオードセラミックアッセンブリ

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OSI optoelectronics

最終更新日：2023年08月29日

公式サイト

◆0.6%以下の低反射率 ◆低ノイズ ◆高速対応 ◆波長レンジ：900nm～1700nm

OSIオプトエレｌクトロニクス社の最新の製造ラインは非常に低い反射のフォトダイオードを含んでいます。通信用に設計されたInGaAs/InPフォトダイオードは1520nmから1620nmまで0.6%以下の反射ロスです。特徴・0.6%以下の低反射率・低ノイズ・高速対応・波長レンジ：900nm～1700nm

関連リンク - https://www.opt-ron.com/product/osi_ingaas-pd-cera…

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基本情報

OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。

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用途／実績例

■波長ロック／波長モニター ■レーザーバックファセットモニタリング ■DWDM・各種計装

詳細情報

【ブロードバンド ARコート InGaAs フォトダイオード】 70μm, 120μm, 300μm, 400μm, 500μmのアクティブエリアサイズのFCI-InGaAs-XXX-WCERは、金属化されたセラミック基板にマウントされたモニターフォトダイオードです。 ●仕様［モデル名：アクティブエリア・応答性1310nm・応答性1550nm・キャパシタンス・ダークカレント・最大逆電圧・最大逆電流・最大順電流］ FCI-InGaAs-WCER-LR：—・0.85 A/W・0.90 A/W・15 pF　Vr=5.0V・1 nA　Vr=5.0V・20 V・2 mA・5 mA
【高速 InGaAs フォトダイオード on セラミックサブマウント】 FCI-InGaAs-XXX-WCERは、アクティブサイズ70μm, 120μm, 300μm, 400μm, 500μmの金属化されたセラミック基板にマウントされたモニターフォトダイオードです。 ●仕様［モデル名：アクティブエリア・応答性1310nm・応答性1550nm・ダークカレント・キャパシタンス・ライズタイム・逆電圧・パッケージ］ FCI-InGaAS-75WCER：75μm・0.9 A/W・0.95 A/W・0.03 nA　Vr=5.0V・0.65 pF　Vr=5.0V・0.2 ns　Vr=5.0V・20 V max・FCI-InGaAS-XXX-WCER FCI-InGaAS-120WCER：120μm・0.9 A/W・0.95 A/W・0.05 nA　Vr=5.0V・1 pF　Vr=5.0V・0.3 ns　Vr=5.0V・20 V max・FCI-InGaAS-XXX-WCER
【角度付きセラミックサブマウントにマウントされた高速InGaAsフォトダイオード】 FCI-InGaAs-XXX-LCERは、70μm, 120μm, 300μm, 400μm, 500μmのアクティブサイズのガルウィングセラミック基板にマウントされた高速IR感度フォトダイオードです。 ●仕様［モデル名：アクティブエリア・応答性1310nm・応答性1550nm・ダークカレント・キャパシタンス・ライズタイム・逆電圧・パッケージ］ FCI-InGaAS-75ACER：75μm・0.9 A/W・0.95 A/W・0.03 nA　Vr=5.0V・0.65 pF　Vr=5.0V・0.2 ns　Vr=5.0V・20 V max・FCI-InGaAS-XXX-ACER FCI-InGaAS-120ACER：120μm・0.9 A/W・0.95 A/W・0.05 nA　Vr=5.0V・1 pF　Vr=5.0V・0.3 ns　Vr=5.0V・20 V max・FCI-InGaAS-XXX-ACER
【リードセラミックパッケージの高速InGaAsフォトダイオード】 FCI-InGaAs-XXX-LCERは、70μm, 120μm, 300μm, 400μm, 500μmのアクティブサイズのガラス窓ガルウィングセラミック基板にマウントされた高速IR感度フォトダイオードです。 ●仕様［モデル名：アクティブエリア・応答性1310nm・応答性1550nm・ダークカレント・キャパシタンス・ライズタイム・逆電圧・パッケージ］ FCI-InGaAS-75LCER 75μm：0.9 A/W・0.95 A/W・0.03 nA　Vr=5.0V・0.65 pF　Vr=5.0V・ー・20 V max・FCI-InGaAS-XXX-LCER FCI-InGaAS-120LCER：120μm・0.9 A/W・0.95 A/W・0.05 nA　Vr=5.0V・1 pF　Vr=5.0V・0.3 ns　Vr=5.0V・20 V max・FCI-InGaAS-XXX-LCER
【キャビティセラミックパッケージ上に高速InGaAsフォトダイオード】 ●仕様［モデル名：アクティブエリア・応答性1310nm・応答性1550nm・ダークカレント・キャパシタンス・ライズタイム・逆電圧・パッケージ］ FCI-InGaAS-75CCER：75μm・0.9 A/W・0.95 A/W・0.03 nA　Vr=5.0V・0.65 pF　Vr=5.0V・0.2 ns　Vr=5.0V・20 V max・FCI-InGaAS-XXX-CCER FCI-InGaAS-120CCER：120μm・0.9 A/W・0.95 A/W・0.05 nA　Vr=5.0V・1 pF　Vr=5.0V・0.3 ns　Vr=5.0V・20 V max・FCI-InGaAS-XXX-CCER FCI-InGaAS-300CCER：300μm・0.9 A/W・0.95 A/W・0.3 nA　Vr=5.0V・10 pF　Vr=5.0V・1.5 ns　Vr=5.0V・15 V max・FCI-InGaAS-XXX-CCER