◆GaAsフォトダイオード ◆GaAsを基にした半導体の光センサ ◆400から850nmに感度があり
アクティブエリアに入射された時にフォトカレントを発生するGaAsを基にした半導体の光センサです。 一般的に400から850nmに感度があります。 【フォトダイオードアレイ】 FCI-GaAs-XXmは、高速ファイバーレシーバやアプリケーションモニタ用にデザインされた4 から 12素子のGaAs PINフォトディテクターアレイです。 ●仕様 ［モデル名：アクティブエリア・応答性・キャパシタンス・ダーク・カレント・最大逆電圧・最大フォワードカレント・バンド幅・ブレイクダウン・電圧・パッケージ］ ・FCI-GaAS-4M：70um・0.63 A/W 850nm・0.65 pF・0.03 nA・20 V max・5 mA・2 GHz 850 nm・50 V・FCI-GaAS-4M ・FCI-GaAS-12M：70um・0.63 A/W 850nm・0.65 pF・0.03 nA・20 V max・5 mA・2 GHz 850 nm・50 V・FCI-GaAS-12M
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基本情報
【ダイオード アンプハイブリッド】 FCI-H125/250G-GaAs-100シリーズは、アクティブエリアサイズ100μmの高範囲トランスインピーダンスアンプを備えたコンパクト高速GaAsフォトディテクタです。 ●仕様 ［モデル名：アクティブエリア・提供電圧・提供電流・オペレーティング波長・応答性・トランスインピーダンス・感度・バンド幅・低周波数カットオフ・差動出力］ ・FCI-H125G-GaAs-100：100μm・+3 to +5.5V・26mA 0 to +70°C・650-860nm・1700V/M -17dBm・2800 Ω -17dBm・-26dBm BER 10-10 PRBS27-1・900 MHz -3dB・45 kHz -3dB・250 mV p-p -3dBm ・FCI-H250G-GaAs-100：100μm・+3 to +5.5V・35mA 0 to +70°C・650-860nm・1650V/M -17dBm・2800 Ω -17dBm・-22dBm BER 10-10 PRBS27-1・1700 MHz -3dB・30kHz -3dB・400mV p-p -3dBm
価格帯
納期
用途／実績例
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企業情報
■バーコード関連の新製品 ■レーザダイオード関連 ■光ファイバコネクタ加工を請け賜ります。 ※通信用から大口径まで短納期随時受付中！ ■超安定化LDモジュール・光源装置製作 ■各種半導体レーザの輸入販売 ■光変調器及び光周辺部品の輸入販売 ■その他、理化学機器・部品の輸入販売
