簡単設計、高信頼性！センス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能
『CGD65A055S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現する ICeGaNゲート技術には、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップを搭載。 電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要になります。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-27AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【スペック】 ■650V-27AeモードGaNパワースイッチ ■ハイゲート用のICeGaNゲート技術、しきい値と広いゲート電圧ウィンドウ、 Si MOSFET用のゲートドライバと互換性あり ■ゲート駆動電圧9V～20V ■電流検出機能 ■RDS(on)＝55mΩ ■非常に高いスイッチング周波数に適している ■ケルビン接触 ■8x8mm2の小さなPCB設置面積 ■底面冷却型DFNパッケージ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
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オーナーのVick AggarwalaはFuture/Alcatel/Nu Horizonsのアジア地区営業責任者として、15年以上の実績を踏まえ、独立後同社の拡大を図ってきました。 4,500社を超える顧客数、130を超える代理店製品を核として、18カ国の言語に対応した、きめの細かいサービスを提供しています。