高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージ！平面、熱性能の向上、熱設計を簡素化
『CGD65B130S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現する ICeGaNゲート技術には、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップを搭載。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、 平面、熱性能の向上、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【スペック】 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ■ハイゲート用のICeGaNゲート技術、しきい値と広いゲート電圧ウィンドウ、 Si MOSFET用のゲートドライバと互換性あり ■ゲート駆動電圧9V～20V ■電流検出機能 ■RDS(on)＝130mΩ ■非常に高いスイッチング周波数に適している ■ケルビン接触 ■5x6mm2の小さなPCB設置面積 ■底面冷却型DFNパッケージ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
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オーナーのVick AggarwalaはFuture/Alcatel/Nu Horizonsのアジア地区営業責任者として、15年以上の実績を踏まえ、独立後同社の拡大を図ってきました。 4,500社を超える顧客数、130を超える代理店製品を核として、18カ国の言語に対応した、きめの細かいサービスを提供しています。