±3500V、10fA分解能――超高電圧でも安定測定、パワーデバイスやSic・GaN複合材料評価に最適
S3030Fは、高電圧・高出力対応の単一チャネル型ソースメジャーユニット（SMU）であり、電圧・電流の同時出力および測定を1台で実現します。 最大180Wの電力出力、±3500Vの高電圧、±120mA（DC）の高電流、および最大10GΩの高抵抗測定に対応しており、コンパクトかつ高コストパフォーマンスな設計が特長です。 本製品は、以下のような高電圧測定が求められる研究・評価用途に幅広く活用されています： ▶GaN / SiCなどのパワー半導体特性評価 ▶絶縁材料・複合材料の電気試験 ▶高電圧リーク電流の測定 また、S3030FはSCPIコマンドに準拠しており、プログラミングによる操作が容易です。 さらに、複数台の同期動作にも対応しており、生産ライン等の評価システムにも統合可能で、測定効率の向上および試験コストの削減に貢献します。
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基本情報
▶高出力レンジ 出力レンジ：±3500V、±120mA（DC）、180W に対応 ▶高分解能 最小測定分解能は 10 fA / 100 μV に達し、微小電流・電圧測定に最適 ▶高速サンプリング 最大 1Mサンプル/秒（1MSa/s） のADCサンプリングレートに対応 ▶スレッショルドトリガ対応 高速ハードウェアI/Oによりスレッショルドトリガ機能を実現し、ユーザーシステムとの効率的な連携をサポート
価格情報
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用途／実績例
S3030Fは高電圧電子機器やパワー半導体デバイスの特性分析およびテスト用に特別に設計されています。例えば、ダイオード、FET、IGBTなどのデバイス、および高電圧が必要な他のコンポーネントや材料、迅速な応答、正確な電圧・電流測定が求められる場合に適しています。 主な用途としては以下があります： ・パワー半導体デバイスの特性分析とテスト ・GaN、SiC、Ga2O3および他の複合材料やデバイスの特性分析 これらのデバイスや材料は、特に高電圧・高速応答・精密な測定が重要となるため、S3030Fが好適な選択肢となります。
詳細情報
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DC I-V出力性能 【測定条件】 温度条件：23 °C ± 5 °C 湿度条件：相対湿度30%～70% ウォームアップ時間：測定前に60分間の予熱を実施 測定中の周囲温度変化：測定中の周囲温度変化は±3 °C以内であること 校正周期：年1回（1年ごとの校正推奨） 測定スピード：1 PLC（電源ライン周期ベースの測定速度）
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企業情報
先端テスト＆計測機器のグローバルサプライヤーです。 高速通信、光チップ、電子計測、パワー半導体といった最先端分野に向けて、研究開発から量産工程まで対応可能な高性能・高集積な測定ソリューションを提供しています。 創業以来、「専心・匠心（Staying Dedicated and Artisanal）」を企業価値の中核に据え、測定原理への深い洞察とクラフトマン精神を融合させた製品開発を追求してきました。 “世界の技術革新を支える最良のテストソリューション企業”を目指し、今後もグローバルな産業課題に応える高性能・高効率・高信頼のソリューションを提供してまいります。