GaNなどのパワー半導体の転位やステップ(微小な段差)、微小方位差が観察可能です。
GaNなどのパワー半導体において、原子レベルの欠陥は性能の劣化に影響を及ぼします。EBSD検出器を用いた前方散乱電子の評価により、転位に加えてステップ(微小な段差)や微小方位差の観察が可能となります。
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基本情報
SEMで反射電子像を観察する場合、一般的には後方散乱電子を用います。 これに対し、EBSD付属の検出器によって前方散乱電子を用いた場合、従来と異なる像を取得できます。単結晶GaNを後方散乱電子、EBSD、前方散乱電子の3通りで評価しました。転位に加えてステップ(微小な段差)や微小方位差の観察が可能となりました。
価格帯
納期
用途／実績例
GaNなどのパワー半導体の性能の劣化に影響を及ぼす原子レベルの欠陥の観察。
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企業情報
大同分析リサーチは、あらゆる材料分野で蓄積してきた信頼性の高い分析・解析技術と、広範囲な業界のお客様からいただいた課題をもとに、先進シンクタンクの構築を進めてまいりました。お客様の種々な課題に対し、最少費用と最短納期で問題解決を図ります。今後も最新鋭の設備と高度なマンパワーを駆使してお客様の研究開発を支援し、未来を豊かに彩る製品づくりのお手伝いをさせていただきたいと考えています。