ツェナーダイオードとトランジスタまたはMOSFETの複合型素子！
2素子内蔵タイプのため、セットの小型化はもちろん使用方法も電圧検出、保護用といったように多様性を有しており、豊富なラインアップをそろえています。
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基本情報
1.ZeDi＋抵抗Tr(VCEO=50V,IC=0.1A,R1=R2=47kΩ) RTE05N3M(Vz=3.8V),RTE09N3M(Vz=5.89V), RTE13N3M(Vz=8.64V) RTE20N3M(Vz=16.9V),RTE21N3M(Vz=18.9V), RTE25N3M(Vz=28.5V) 2.ZeDi(Vz=8.64)+MOSFET(N/P,VDSS,ID) RTE13K6M(N,30V,0.2A), RTE13K7M(N,30V,0.5A), RTE13K4M(N,60V,0.1A) RTE13KFM(N,60V,0.38A), RTE13J1M(P,50V,0.1A), RTE13J5M(P,50V,0.1A) 3.ZeDi+Tr RTE13LFM(Vz=8.64V、VCEO=50,IC=0.2A) 09N3M,RTE13N3M,RTE20N3M,RTE21N3M,RTE25N3Mi(Vz=28.5VMax)＋抵抗Tr
価格帯
納期
用途／実績例
低電圧駆動 電圧検出 静電保護用
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企業情報
イサハヤ電子は、1973年から小信号トランジスタの生産を開始し、培ってきた半導体技術をゲートドライバやDC/DCコンバータの設計技術へと進化させてきました。 近年では更に、カーボンニュートラルの一翼を担うべく、高効率、高力率の電源技術開発に力を入れております。 （三相PFC、1500V入力対応DC/DCコンバータ、双方向コンバータ等） 一方、多様なニーズに応えるべく、小信号トランジスタも高機能化、複合化と進化を遂げ、高耐圧・大電流トランジスタ、MOSFET、アナログICのラインアップを拡大しております。