車載から通信機器まで、パワー半導体ならCystech
【会社概要】 Cystech Electronics Corp.は、2002年に台湾で創業されたパワー半導体専門メーカーです。MOSFET、トランジスタ、ダイオード、ICを中心とした製品展開を行い、ISO9001・ISO14001・ISO45001などの認証を取得。台湾証券取引所に上場し、グローバル市場に向けた高信頼・高性能の製品を提供しています。 【主要製品】 MOSFET(低電圧~高電圧、ハイスピードタイプまで) トランジスタ(バイポーラ、デジタル) ダイオード(スイッチング、ツェナー、ショットキー) 【強み・信頼性】 台湾、日本、中国に製造・組立の生産ネットワークを確立 厳格な品質保証システムと信頼性評価体制を整備 顧客フィードバックを活かした継続的な改善プロセス
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基本情報
【MOSFET】 ■ 種類: LV MOSFET(低電圧) MV MOSFET(中電圧) HV MOSFET(高電圧) High-Speed MOSFET(高速タイプ) スペック傾向:電流(Current)範囲: 10A ~ 1000A、電圧(Voltage)範囲: ~ 900V以上 パッケージタイプ: TOLL, DIP, SMTなど 【トランジスタ(BJT / Digital)】 バイポーラトランジスタ(BJT) デジタルトランジスタ パッケージ例:SOT、TO、DFNなど各種 【ダイオード】 ■ 種類: Zener Diode(ツェナーダイオード) Schottky Diode(ショットキーダイオード) Switching Diode(スイッチングダイオード) 特徴:高速スイッチング性・低VF、パワー回路や整流回路に適用
価格帯
納期
用途/実績例
情報通信 DCファン・モーター ディスプレイ・モニター 電源 車載機器 オーディオ機器など
ラインアップ(7)
型番 | 概要 |
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MTB040P10RJ3 | 【MOSFET】パッケージ: TO-252 チャネルタイプ: Pチャネル 耐圧(BVDSS): -100V ドレイン電流(ID): -25A ゲートソース電圧(Vgs): ±20V RDS(ON)@10V: 52mΩ(38mΩ) 入力容量(Ciss): 1420pF ゲート電荷(Qg): 25nC ゲートドレイン電荷(Qgd): 4.4nC |
MTB090N10KRJ3 | 【MOSFET】パッケージ: TO-252 チャネルタイプ: Nチャネル 耐圧(BVDSS): 100V ドレイン電流(ID): 10A ゲートソース電圧(Vgs): ±20V(ESD) RDS(ON)@10V: 98mΩ(75mΩ) 入力容量(Ciss): 253pF ゲート電荷(Qg): 6nC ゲートドレイン電荷(Qgd): 1.3nC |
MTB035P06RV8 | 【MOSFET】パッケージ: DFN3×3 チャネルタイプ: Pチャネル 耐圧(BVDSS): -60V ドレイン電流(ID): -12A ゲートソース電圧(Vgs): ±20V(ESD) RDS(ON)@10V: 44mΩ(34mΩ) 入力容量(Ciss): 1090pF ゲート電荷(Qg): 19nC ゲートドレイン電荷(Qgd): 3.2nC |
BAS299N3 | 【ダイオード】パッケージ: SOT-23 繰返しピーク逆電圧(VRRM): 110V 連続逆電圧(VR): 100V 最大連続順電流(IF): 430mA ピン構成: 1.アノード 2.カソード 3.共通接続 |
BAV23CN3 | 【ダイオード】パッケージ: SOT-23 繰返しピーク逆電圧(VRRM): 250V 連続逆電圧(VR): 250V 最大連続順電流(IF): 200mA 構成: 共通カソード |
BAS21C2 | 【ダイオード】パッケージ: SOD-523 繰返しピーク逆電圧(VRRM): 300V 連続逆電圧(VR): 300V 最大連続順電流(IF): 250mA 構成: カソード |
MBNN01S6R | 【トランジスタ】パッケージ: SOT-363 構成: Nチャネル + BJT 耐圧(BVDSS): 60V ドレイン電流(ID): 0.2A ゲートソース電圧(Vgs): ±20V(ESD) RDS(ON): 3Ω(1.3Ω) |
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当社は、アナログ半導体の深い知見を持ち、世界最高水準の半導体 ソリューションを提供できます。 貴社がご利用されているデジタル半導体を、当社開発のアナログ 半導体に置き換えることで、低電圧駆動、低消費電力、コストカット、 納期短縮を実現。 また、お客様のご要望に合わせたカスタム半導体の開発、製造も 可能となっており、基板実装、完成品のOEM製造も実施しております。