全反射条件ではX線の侵入長が光電子の脱出深さよりも短くなるためHAXPESの検出深さはX線の侵入長で決まる！
硬X線光電子分光(HAXPES)は、これまで軟X線領域での測定が主流であった 光電子分光を硬X線領域で行うことでバルク敏感な測定が可能となり飛躍的な 進歩を遂げました。 一方で、表面状態の分析を目的としてX線の全反射条件下でのHAXPES測定も 行われています。 全反射条件ではX線が全反射臨海角で入射するため、物質中へ侵入できる深さが 制限されます。この特性をHAXPESに適用すると原子層レベルの界面酸化層や 偏析不純物の結合状態の分析が可能となります。 ※記事の詳細内容は、添付のPDF資料より閲覧いただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
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