高インダクタンスリレー駆動に最適！ツェナー内蔵MOSFETがさらに進化
バリスタを内蔵した高インダクタンスのリレー駆動に対応するため、ツェナー内蔵型MOSFETのツェナーダイオード部の面積と耐圧を大幅に強化。これにより、過渡的な高電圧にも耐える優れた破壊耐量を実現しました。信頼性が求められる高負荷アプリケーションに、より安心してご使用いただけます。
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基本情報
【最大定格】 ・INKE211BP1 VDSS=70V VGSS=20V ID=2A ・INKE211CP1 VDSS=75V VGSS=20V ID=2A
価格帯
納期
用途／実績例
リレー駆動回路、モータードライバ回路、点火装置等
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企業情報
イサハヤ電子は、1973年から小信号トランジスタの生産を開始し、培ってきた半導体技術をゲートドライバやDC/DCコンバータの設計技術へと進化させてきました。 近年では更に、カーボンニュートラルの一翼を担うべく、高効率、高力率の電源技術開発に力を入れております。 （三相PFC、1500V入力対応DC/DCコンバータ、双方向コンバータ等） 一方、多様なニーズに応えるべく、小信号トランジスタも高機能化、複合化と進化を遂げ、高耐圧・大電流トランジスタ、MOSFET、アナログICのラインアップを拡大しております。