検出深さが大きくなり、より深い領域の評価が可能になります！
当社で行う「放射光HAXPESによる埋もれた界面の評価」について ご紹介します。 X線光電子分光(XPS)は、表面の組成・状態分析が可能であり、 表面分析では不可欠な手法。 ラボ型XPS(Al Kα：1.5keV)では、3nm程度の極表面の評価に限られますが、 外部施設を利用した硬X線光電子分光(HAXPES)：8keVにより、多層構造や 実デバイスに近いスタック構造の埋もれた界面など、より深い領域の評価が 可能となります。 【特長】 ■通常のXPSに比べて検出深さが大きい ■深いエネルギー準位からの光電子を測定 ■同時に発生するオージェ電子などの重なりがなくなるため、状態分析が容易 ■第三世代の放射光施設(SPring-8)を高輝度X線源として利用可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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基本情報
【事例】 ■多層膜(メタル/絶縁膜)試料の測定(HAXPES) ■p-GaNおよびp＋-GaNのバンドベンディングの評価(HAXPES) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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納期
用途／実績例
【用途(一部)】 ■厚膜試料のバルクの評価(二次電池ほか) ■積層膜などの多層膜界面の評価(ゲートスタック・GMR・MRAM) ■後酸化・潮解性を有する膜に対するキャップ越しの評価 ■太陽電池の透明電極や透明半導体のin-gap state評価(ZnO・IGZOなど) ■電極/GaN構造のバンドアライメント・ベンディング評価 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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企業情報
当社は、受託分析サービスを展開している会社です。 2002年8月の創立以来、信頼性のある分析・解析技術と最新鋭の設備を駆使し、 半導体・液晶・金属・新素材を中核とした幅広いマーケットに最適な ナノレベルの微細加工、分析、解析、信頼性評価、環境安全化学分析、 サービス・ソリューションを提供しております。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。