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最終更新日:2025年06月30日

イサハヤ電子株式会社
イサハヤ電子株式会社
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ハイサイドMOSFETのゲート駆動、オーディオアンプに最適!

高耐圧・低出力容量となっており、ハイサイドMOSFETのゲート駆動、高い電源電圧のディスクリートアンプ など、オーディオ機器に最適です。 複合タイプは、隣接チップを搭載することで、hFE、VBEのペアリングを 保証、差動増幅回路やカレントミラー回路への適用が可能です。

    トランジスタ
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150V高耐圧バイポーラトランジスタ

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基本情報

TO-92S INA6006AS1 PNP、VCEO=150V、IC=100mA INC6006AS1 NPN、VCEO=160V、IC=100mA SOT-89 INA6006AP1 PNP、VCEO=150V、IC=100mA INA6006AP1 NPN、VCEO=160V、IC=100mA SC-59 INA6006AC1 PNP、VCEO=150V、IC=100mA INA6017AC1 PNP、VCEO=150V、IC=100mA INC6006AC1 NPN、VCEO=160V、IC=100mA INC6017AC1 NPN、VCEO=160V、IC=100mA SC-70 INA6017AM1 PNP、VCEO=150V、IC=100mA INC6017AC1 NPN、VCEO=160V、IC=100mA SC-88 RT3A66M PNP VCEO=150V、IC=100mA、hFE比=1.0(Typ)ΔVBE=0mV(Typ) RT3C66M NPN、VCEO=160V、IC=100mA、hFE比=1.0(Typ)ΔVBE=0mV(Typ)

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用途/実績例

・ハイサイドMOSゲート駆動 ・ディスクリートアンプ

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イサハヤ電子は、1973年から小信号トランジスタの生産を開始し、培ってきた半導体技術をゲートドライバやDC/DCコンバータの設計技術へと進化させてきました。 近年では更に、カーボンニュートラルの一翼を担うべく、高効率、高力率の電源技術開発に力を入れております。 (三相PFC、1500V入力対応DC/DCコンバータ、双方向コンバータ等) 一方、多様なニーズに応えるべく、小信号トランジスタも高機能化、複合化と進化を遂げ、高耐圧・大電流トランジスタ、MOSFET、アナログICのラインアップを拡大しております。

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