基板上へプリカーサ吸着時の活性化エネルギー、反応熱の情報が得られます！
弊団では、第一原理計算によるALD成膜におけるプリカーサ吸着 シミュレーションを行っております。 ALD(原子層堆積法)は気相の連続的な化学反応を利用した成膜技術。 膜厚の厳密なコントロールが可能なことや、低温プロセスでの運用、 付き回りの良さなどの理由から、微細加工が求められる半導体分野を 中心に広く用いられています。 一般に成膜速度が遅いALDにおいて、異なる基板間の成膜速度の差を 理解するためには基板上へのプリカーサ吸着メカニズムの解明が求められます。 【測定法・加工法】 ■計算科学・AI・データ解析 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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基本情報
【製品分野】 ■LSI・メモリ ■酸化物半導体 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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【分析目的】 ■構造評価 ■その他 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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企業情報
MSTは、高度な受託分析サービスを提供する財団法人です。 最先端の「物理的解析」と、AI技術を活用した「高度なデータ解析」を融合させることで、従来の分析の枠を超えた多角的な視点を提供し、お客様の高度なニーズに迅速かつ的確にお応えします。 技術知識を兼ね備えた専門スタッフが、お客様の課題に寄り添い、最適な分析プランをオーダーメイドでご提案いたします。オンラインでの打ち合わせはもちろん、貴社への訪問による対面でのご相談も承っております。 また、ISO9001（品質）およびISO27001（情報セキュリティ）を取得しており、機密性の高いプロジェクトにおいても、確かな技術力と厳格な管理体制のもと、安心してお任せいただける環境を整えています。製品開発の加速から不良原因の究明、特許調査まで、研究開発のあらゆるフェーズにおける課題を、確かな分析技術で解決へと導きます。
