低Ron、高VEBOであり音声ミュート用トランジスタとして最適！
●コレクタ・エミッタ間飽和電圧が小さく、音声ミュート 用として最適です。 ●VEBOが高く逆流防止用ダイオードが不要です。 ●逆方向hFEが高く、負側の信号の音声ミュートも可能です。 ●小型面実装パッケージに加え、抵抗内蔵タイプ、複合タイプ （2個入り）、バッファーPNP複合タイプも取り揃えており、セット の小型化、高密度実装が可能です。
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基本情報
【ラインナップ】 ミュートトランジスタ INC2002A*1 VCBO=50V,VEBO=50V,VCEO=20V,IC=600mA,hFE=820~2500,Ron=0.65kΩ 抵抗付きミュートトランジスタ(VCBO=40V,VEBO=40V,VCEO=20V,IC=400mA, hFE=820~2500) RTAN230* Ron=0.70kΩ,R1=2.2kΩ RTAN430* Ron=0.70kΩ,R1=4.7kΩ RTAN140* Ron=0.94kΩ,R1=10kΩ ミュートトランジスタ＋バッファーPNPの複合タイプ (VCBO=40V,VEBO=40V,VCEO=15V,IC=200mA, hFE=820~2500)＋(VCBO=-9V,VEBO=-50V,VCEO=-9V,hFE=10,R2=10kΩ) RT3Y97M Ron=1.6Ω,R1=2.2kΩ RT3YA7M Ron=1.8Ω,R1=4.7kΩ RT3YB7M Ron=2.0Ω,R1=10kΩ (*:C→SC-59、M→SC-70、U→SC-75A、2個入り：SC-88、SC-88A)
価格帯
納期
用途／実績例
オーディオ機器、通信機器
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企業情報
イサハヤ電子は、1973年から小信号トランジスタの生産を開始し、培ってきた半導体技術をゲートドライバやDC/DCコンバータの設計技術へと進化させてきました。 近年では更に、カーボンニュートラルの一翼を担うべく、高効率、高力率の電源技術開発に力を入れております。 （三相PFC、1500V入力対応DC/DCコンバータ、双方向コンバータ等） 一方、多様なニーズに応えるべく、小信号トランジスタも高機能化、複合化と進化を遂げ、高耐圧・大電流トランジスタ、MOSFET、アナログICのラインアップを拡大しております。
