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SiC MOS ICKシリーズ(TO-247)

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最終更新日:2026年03月31日

イサハヤ電子株式会社
イサハヤ電子株式会社
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貼り合わせ基板の導入により、ボディダイオードの順方向特性劣化を低減!

SiCを材料としたMOSFETです。 SiCを材料とすることで、シリコンでは実現できなかった高耐圧、低抵抗特性と、IGBTに比べてスイッチング時の損失を削減することが可能となっています。 PFC(力率改善回路)やDC-DCコンバータ、インバータ回路に使用することにより、電源の高効率化に貢献します。

    ダイオード
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SiC MOS ICKシリーズ(TO-247)

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基本情報

【ラインナップ】 ICK16012AW2 (TO-247-3L) , VDSS=1200V, VGSS=+22V/-6V, Vth=1.6-4.0, Rds(on)=160mΩ ICK16012AW3 (TO-247-4L) , VDSS=1200V, VGSS=+22V/-6V, Vth=1.6-4.0, Rds(on)=160mΩ ICK03212AW2 (TO-247-3L) , VDSS=1200V, VGSS=+22V/-6V, Vth=1.6-4.0, Rds(on)=32mΩ ICK03212AW3 (TO-247-4L) , VDSS=1200V, VGSS=+22V/-6V, Vth=1.6-4.0, Rds(on)=32mΩ ICK02012AW2 (TO-247-3L) , VDSS=1200V, VGSS=+22V/-6V, Vth=1.6-4.0, Rds(on)=20mΩ ICK02012AW3 (TO-247-4L) , VDSS=1200V, VGSS=+22V/-6V, Vth=1.6-4.0, Rds(on)=20mΩ

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用途/実績例

PFC(力率改善)回路 インバータ回路 UPS(無停電電源) DC-DCコンバータ

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イサハヤ電子は、1973年から小信号トランジスタの生産を開始し、培ってきた半導体技術をゲートドライバやDC/DCコンバータの設計技術へと進化させてきました。 近年では更に、カーボンニュートラルの一翼を担うべく、高効率、高力率の電源技術開発に力を入れております。 (三相PFC、1500V入力対応DC/DCコンバータ、双方向コンバータ等) 一方、多様なニーズに応えるべく、小信号トランジスタも高機能化、複合化と進化を遂げ、高耐圧・大電流トランジスタ、MOSFET、アナログICのラインアップを拡大しております。

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