SiCトランジスタを採用することで100ns以下の高速スイッチングを実現！
当社の絶縁試験器についての事例をご紹介します。 半導体インバータの高速化にともない、モータ内部において コイル巻き始めに印加電圧のほとんどが集中してしまう現象が 問題となってきています。 当社の独自の技術によりSiC半導体素子を直列接続し、10kV以上の 高電圧を高速にスイッチングする技術を確立しました。 【事例概要】 ■課題 ・高速な立ち上がりをもつパルス電源が重要 ■結果 ・正負10kVの電源に対して100ns以下の高速な立ち上がり・立ち下がり波形を実現 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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企業情報
ネクスファイ・テクノロジー株式会社は、2021年7月に創業し、 高電圧機器の製造・販売を行っています。 耐電圧1kVクラスのSiCトランジスタを独自技術により直並列接続した 「高電圧スイッチングモジュール」や「高電圧直流電源」などをご用意。 パワーデバイスであるSiCデバイスを活用した独創的・革新的技術により、 未来の豊かな社会づくりに貢献します。 ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。
