材料特性とプロセスがデバイス特性に与える影響を理解する
当社は「GaNウェハ・パワーデバイスの基礎と設計・開発への展開 ～材料特性とプロセスがデバイス特性に与える影響を理解する～」の オンラインセミナーを開催します。 本講座では、GaNウェハからパワーデバイスに至る一連の技術について、 結晶成長、基板技術、加工・評価技術、デバイスプロセス、デバイス構造までを 体系的に整理します。設計・開発に携わる技術者が、材料特性やプロセス条件と デバイス特性の関係を理解するための基礎的視点を解説します。 皆様のご参加を心よりお待ちしております。 【開催概要】 ■日時：2026年8月25日（火）13：00～16：30 ※開催当日12：00まで申込受付 ■受講料：36,300円（テキスト代、録画視聴、税込、1名分） ■主催：日刊工業新聞社 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
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基本情報
【プログラム】 ■GaNの基礎とパワー半導体としての位置付け ■GaN関連技術・研究開発動向 ■GaNウェハ・結晶成長と基板技術 ■GaNデバイス作製プロセス ■GaNパワーデバイスの構造と設計 ■今後の展望、まとめ、質疑応答 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
価格帯
納期
用途／実績例
【受講対象】 ■ GaNパワーデバイスの基礎から構造・プロセスまで体系的に理解したい技術者 ■ 半導体材料・ウェハ・結晶成長などの基礎知識を整理したい設計・開発担当者 ■ パワーエレクトロニクス分野における材料技術動向を把握したい研究・開発部門の方 ■ デバイス開発における材料特性とプロセスの関係を理解したい技術者
企業情報
当社は、新聞を中核に、出版・電子メディア・イベント(企画・催事)・教育などの 様々な事業を通じて、ビジネスに役立つ情報の発信に日々努めています。 日刊工業新聞社は新たな歩みを始めています。2015年11月に創刊100周年という 記念すべき節目を迎え「100年企業」の仲間入りを果たしました。 創業の理念「工業立国」「技術立国」を胸に一貫して日本の産業界とともに歩み、 日本の科学技術の発展や産業競争力の強化、中小企業振興に努めてまいりました。
