サイラトロンなどの上位互換になりうる半導体スイッチの実現事例！
「SiC高電圧スイッチングモジュール」における課題解決事例を ご紹介いたします。 本事例では、真空管は寿命・価格・デリバリーに問題が多数あり、 スイッチの性能を上げて機器を進化させたい、といった課題がありました。 そこで、MOS FETを安定に直列接続動作をするための光通信高精度技術、 素子間電圧バランス確保のためのノウハウを実行。小型サイズでの 高電圧・高周波モジュールを実現しました。 【事例概要】 ■課題：スイッチの性能を上げて機器を進化させたい ■提案した解決策：当社独自発想によるSiC高電圧スイッチングモジュール ■結果：小型サイズでの高電圧・高周波モジュールを実現 ■評価：絶縁試験機応用では高速試験が可能になり引合いが急増 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
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企業情報
ネクスファイ・テクノロジー株式会社は、2021年7月に創業し、 高電圧機器の製造・販売を行っています。 耐電圧1kVクラスのSiCトランジスタを独自技術により直並列接続した 「高電圧スイッチングモジュール」や「高電圧直流電源」などをご用意。 パワーデバイスであるSiCデバイスを活用した独創的・革新的技術により、 未来の豊かな社会づくりに貢献します。 ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。
