Si3N4 AMB基板は熱伝導率最大130 W/m·K。AlN AMB・DBC基板も対応。5枚から、サンプル最短2週間
Si3N4・AlNのAMB基板とDBC基板を取り扱っております。Si3N4 AMB基板は熱伝導率40〜130 W/m·K(150 W/m·Kは開発中)で、DBC基板(24〜28 W/m·K)より放熱性に優れ、高強度で耐熱衝撃性にも優れます。EV/HEV、鉄道、産業用インバータ、IGBT/SiCモジュールなどに最適です。特許出願中品を含む幅広いラインアップから、お客様の図面をもとに最適な基板を選定します。5枚から、サンプルは最短2週間で対応可能です。ご要望の際は、お気軽にお問い合わせください。
この製品へのお問い合わせ
基本情報
【仕様】 ■Si3N4 AMB基板 熱伝導率:40〜130 W/m·K(150 W/m·Kは開発中) 耐熱衝撃性:優秀(高強度Si3N4) ■DBC基板 熱伝導率:24〜28 W/m·K 耐熱衝撃性:標準 ■AlN AMB基板 お問い合わせください 【対応】 最小発注数量:5枚から サンプル納期:最短2週間 お客様の図面から最適な基板を選定します
価格帯
納期
用途／実績例
【用途】 EV/HEV、鉄道、産業用インバータ、IGBT/SiCモジュール (DBC基板は産業・民生用) 【実績】 パワー半導体メーカー、試作メーカー、OSAT(国内外)
企業情報
ハイファイクルー合同会社は、パワーデバイス業界における 基板・材料・装置を専門に取り扱う企業です。 高品質なAMB基板を提供を【低価格】 【短納期】で提供。さら に、 リードフレームや樹脂、IGBT用のハウジング、ピン、ヒートシンクなどの材料を 少量の試作から量産まで対応しています。 また、ウェッヂボンダー、外観検査装置など、パワー半導体の製造⼯程に不可⽋な 製品を幅広く取り揃え、短納期・低価格にも対応しております。
