2次元に特化した半導体レーザ向けデバイスシミュレーションプログラム(旧LASTIP）
＜主な特徴＞ ■２次元構造モデルに基づいた半導体レーザのシミュレーションソフト ■共振器方向での効果を含まないため計算がより軽く実行可能 ■有限要素計算のメッシュも２次元で設定するため収束がよりスムーズ ＜多様な物理モデルや機能＞ ■光出力-電流（L-I）特性 ■電流-電圧（I-V）特性 ■２次元ポテンシャル、電場、電流分布 ■電子とホール密度の２次元分布 ■様々なバイアス条件の下でのバンド図 ■半導体中の深いレベルのトラップの占有数と密度の２次元分布 ■２次元多重横モードの光学場分布 ■２次元局所光学利得分布 ■バイアス電流に対するモード別屈折率依存性 ■バイアス電流に対するモード別利得と屈折率変化の依存性 ■電流に対する自発放出スペクトルの依存性 ■Far-field 分布 ■上記の全ての量の時間発展（過渡的モデル）と温度依存性（一様温度） ■その他機能や詳細については、カタログダウンロード もしくはお問い合わせ下さい。 ■試用版のご希望は下記のお問い合わせからご連絡ください。
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基本情報
＜インターフェイス＞ ■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備 ■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能 ■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能 ＜材料マクロ＞ ■化合物 (InGaAsNSb, AlGaAsSb, InAs, InAlAs, InP, InGaAlAs, etc.) ■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.) ■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.) ■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.) ■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, etc.) ■有機物 (BPhen, BCzVBiドープCBP,CuPc, LiF, etc.) ■その他 (GaP, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, etc.)
価格情報
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納期
用途／実績例
＜適用デバイス・モデル＞ ■組成にグレードがあるデバイス ■ブロードエリアのレーザ ■多重量子井戸(MQW)レーザ ■デュアルポーラゼーションレーザ ■多体効果を伴ったレーザ ■ミニバンド輸送モデルを使ったレーザ ■モジュレーター ■リッジ型レーザ ■多共振器レーザ ■マルチモードレーザ ■FFP ■ポンプレーザ ■EEIM横モード ■量子カスケードレーザ(QCL) ■量子ドットレーザ(QDot) ■温度依存 ■熱解析 ■TypeII型多重量子井戸 など ＜解析・プロット＞ ■物理量の空間分布 (ポテンシャル、キャリア密度、電流分布、バンド図、光モード分布、温度分布、多重量子井戸の波動関数、NFP、FFP、etc.) ■バイアス依存性 (L-I特性、I-V特性、電流と利得、電流と屈折率変化、etc.) ■スペクトル (モード利得、自然放出、屈折率変化、etc.) ■交流解析 (周波数特性、応答出力、etc.)
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企業情報
クロスライトソフトウェアインク(前Beamtek Software Inc.)は1992年にカナダ国家科学研究委員会から独立しカナダに本社を設立したインターナショナル企業です。現在、バンクーバーに本社を構え、1997年上海拠点、2001年9月千葉市に日本支社を設立しました。 当社は、半導体レーザーデバイス、発光、受光素子、MEMSおよびMOCVDプロセス等の物性を解析するTCADソフトウェアの開発元として、常に最先端の技術で半導体オプトエレクトロニクス、電子デバイス・プロセス技術の先端物理モデルを提供するリーダーカンパニーです。 当社主力製品の3次元半導体レーザーダイオードシュミレーターPICS3Dは1998年、業界誌 Laser Focus World「レーザーフォーカスワールド」より Commercial Technology Achievement Award 「最優秀製品技術賞」を受賞しました。
