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APSYS

最終更新日:2021年11月05日

クロスライトソフトウェアインク日本支社
クロスライトソフトウェアインク日本支社
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多種多様な材料や物理モデルを用意、様々な解析が可能な半導体デバイスシミュレータ。カタログのダウンロードは無料!

<主な特徴> ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア ■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能 (半導体レーザは別製品LASTIPとPICS3Dでシミュレーションが可能) ■シリコン、化合物から成るデバイスの設計に用いることが可能 <多様な物理モデルや機能> ■電流-電圧(I-V)特性 ■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布 ■流体力学モデルにおけるホット・キャリア温度の2次元分布 ■熱輸送モデルで用いられる格子温度の2次元分布 ■様々なバイアス条件のもとでのバンド図 ■任意の周波数帯における交流微小信号応答解析の結果 ■荷電子混合モデルを用いた量子井戸のサブバンド ■半導体中の深いレベルにトラップされた不純物占有数と密度の2次元分布 ■光検出器などの光デバイスの2次元光学場分布 ■LEDの自己放出スペクトルの電流依存性 ■FDTDインターフェイス ■その他機能や詳細については、カタログダウンロード   もしくはお問い合わせ下さい。 ■試用版のご希望は下記のお問い合わせからご連絡ください。

    その他解析
APSYS_550x550.jpg

半導体デバイス用汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトAPSYS

APSYS_550x550.jpg
APSYS_550x550.jpg IV.jpg HF.jpg Band.jpg Photocurrent.jpg PhysicalModel.jpg p-MOSFET.jpg QWIP.jpg SAGCM.jpg
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  • 特設サイト - 製品・サービス詳細 - https://pr.mono.ipros.com/crosslight/product/

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基本情報

<インターフェイス> ■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備 ■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能 ■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能 <材料マクロ> ■化合物 (InGaAsNSb, AlGaAsSb, InAs, InAlAs, InP, InGaAlAs, etc.) ■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.) ■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.) ■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.) ■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, etc.) ■有機物 (BPhen, BCzVBiドープCBP,CuPc, LiF, etc.) ■その他 (GaP, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, etc.)

価格情報

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用途/実績例

<適用デバイス・モデル> ■シリコン(ダイオード、JFET、NPNバイポーラ、TFT) ■CCD、CIS ■FDTD(2D/3D Lense、光検出器) ■HBT ■HEMT、FET ■LED(GaN MQW, QDot, OLED, RCLED.) ■デバイスと回路の混在シミュレーション ■NANDフラッシュメモリー ■ナノワイヤー ■NEGF(FINFET, HEMT, nanowire, NMOS) ■QWIP ■MESFET ■RTD ■ショットキートンネリング ■フォトニック結晶 ■光検出器 ■太陽電池 ■トンネル接合 ■TypeII型量子井戸光検出器 ■熱解析 など <解析・プロット> ■物理量の空間分布 (ポテンシャル、キャリア密度、電流分布、バンド図、光モード分布、温度分布、多重量子井戸の波動関数、etc.) ■バイアス依存性 (L-I特性、I-V特性、電流と利得、電流と屈折率変化、etc.) ■スペクトル (モード利得、自然放出、屈折率変化、etc.) ■交流解析 (周波数特性、応答出力、etc.)

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半導体デバイス 汎用2D/3D解析・設計ソフトウェア APSYS

半導体デバイス 汎用2D/3D解析・設計ソフトウェア APSYS

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量子井戸と量子ドット太陽電池のシミュレーション(Simulation of QW and QD Solar Cell)

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薄膜太陽電池のシミュレーション(Simulation of Si based thin-film solar cells)

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多接合太陽電池のシミュレーション(Simulation of Multiple-Junction Solar Cells)

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シリコン基板太陽電池のモデリング(Modeling Si-based Solar Cells with APSYS)

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レーザ照射コンタクト太陽電池(Modeling of solar cell with laser-fired contact)

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ホットオージェ電子のリーク(hot Auger electron leakage in InGaN MQW LED)

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FDTDによるサファイア基板LEDの計算(Patterned Saphire Substrate LED by FDTD)

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GaN基板LEDの3D TCADシミュレーション(3D TCAD Simulation of GaN-based LED)

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蛍光体LED光線追跡シミュレーション(Raytracing Simulation of Phosphor-Coated LED)

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ナノワイヤー/ナノチューブLEDの3D計算(3D Simulation of Nanowire/Nanotube LED)

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共振器型LEDの解析(Analysis of Resonant Cavity Light-Emitting Diodes)

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CADによるGaN LEDの設計(Computer Aided Design of GaN LED)

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有機LEDのシミュレーション(Organic Light-Emitting Diodes and White-OLED)

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フォトニック結晶LEDのモデル化(Modeling Photonic Crystal Light Emitting Diode)

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クロスライトのLEDシミュレーション研究(Crosslight LED Simulation Study)

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表面構造を持つ多重量子井戸LEDの3D計算(InGaN/GaN MQW LED with textured surface)

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高輝度発光ダイオード(3D Modeling of Superluminescent Light-Emitting Diode)

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高応力GaNデバイスの研究(Study of Highly Stressed GaN Device on Silicon)

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LEDの多重量子障壁の有無比較(Comparison of LEDs with/without MQB)

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半極性InGaN半導体レーザのシミュレーション(Simulation of Semipolar InGaN LD)

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マッハツェンダー型光変調器(InP-based MQW Mach-Zehnder Modulators)

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CMOSイメージセンサーの3次元シミュレーション(3D Simulation of CMOS Image Sensor)

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タイプII型量子井戸受光素子(Simulation of Type-II Quantum Well Photodetector)

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量子井戸型赤外線センサー(A Self-consistent Model of QWIP)

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アバランシェフォトダイオード(Simulation of Avalanche Photodiodes Using APSYS)

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ナノワイヤーMOSFETの非平衡グリーン関数計算 (NEGF Simulation of nanowire MOSFET)

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MOSFETにおける3Dシミュレーションの効果(Simulation of 3D effects in MOSFET)

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MOSFETの基板電流シミュレーション(MOSFET Substrate Current Simulation)

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Siのひずみに対するQWモデル(Quantum Well Model for Strained Silicon MOSFETs)

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HEMTシミュレーションにおける課題(Advanced Issues in HEMT Simulation)

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高耐圧AlGaN/GaN HEMTのモデリング(Modeling of High Voltage AlGaN/GaN HEMT)

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SiC MESFETの3次元シミュレーション(3D Simulation of SiC MESFET)

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ミックスモードシミュレーション(Mixed-mode device simulation (Numerical+SPICE))

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APSYSによるガン・ダイオードのモデリング(Gunn Diode Modeling in APSYS)

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薄膜トランジスタの3次元シミュレーション(3D Thin Film Transistor (TFT) Simulation)

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電界吸収変調器の解析(Analysis of Electro-Absorption Modulators)

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結晶方位の影響(Effects of Crystal Orientation on the Optical Property)

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量子ドリフトディフュージョン(Quantum Drift-Diffusion)

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バンド内遷移トンネル効果(Intraband Quantum Tunneling Through Heterojunction)

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多体エキシトン効果(Manybody, Exciton and Inhomogeneous Broadening Effect)

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感光デバイス計算(Simulation of photo-sensitive devices with FDTD method)

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クロスライトのFDTDの紹介(Introducing Crosslight FDTD)

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FDTD計算をGPUで加速(An Overview of GPU Accelerated Crosslight FDTD)

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低電界移動度モデル(Low Field Mobility Models)

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オプション説明一覧 (APSYS)

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抵抗スイッチングメモリ(Resistive Switching Memory Model using NovaTCAD)

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SiC-JBSシミュレーション(TCAD Demonstration Files for SiC-JBS Simulation)

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NovaTCADの紹介(NovaTCAD: An Introduction)

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半導体デバイスシミュレータAPSYS製品仕様/スペック概要

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LEDの転位とV字型ピット(Dislocations and V-shaped Pits in InGaN MQW LED)

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量子ドットの自己無撞着モデル(Self-consistent model of individual quantum dot)

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MQW LEDおよびマイクロLEDのシミュレーション(Simulation of MQW LED and Micro-LED)

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マイクロLEDのTCADシミュレーション(Crosslight TCAD Simulation of Micro-LED)

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薄膜トランジスタの曲げ効果のシミュレーション(Simulation of Effects of Bending in TFT)

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最小弾性エネルギー応力法(Minimum Elastic Energy Stress Method in CSUPREM)

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薄膜トランジスタのヒステリシス特性のシミュレーション(Hysteresis Characteristics in TFT)

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LTPS薄膜トランジスタ用の水素イオン拡散(Hydrogen Ion Diffusion for LTPS TFT)

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LTPS薄膜トランジスタの多粒界効果(Poly Grain Boundary Effects for LTPS TFT)

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LTPSホットキャリア注入劣化のシミュレーション(LTPS Hot Carrier Injection Degradation)

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タイプ II 型超格子光検出器の解析(8×8 k.p model of type II SL photodetectors)

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トレンチMOSのスイッチングとAC特性(TrenchMOS switching and AC characteristics)

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TCADによるパワーデバイスシミュレーション(TCAD Simulation of Power Devices)

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重粒子線放射シミュレーション(Introduction to heavy ion radiation simulation)

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クロスライトソフトウェアインク日本支社

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クロスライトソフトウェアインク(前Beamtek Software Inc.)は1992年にカナダ国家科学研究委員会から独立しカナダに本社を設立したインターナショナル企業です。 現在、バンクーバーに本社を構え、1997年上海拠点、2001年9月千葉市に日本支社を設立しました。 当社は、各種半導体レーザーデバイス、発光、受光素子、MEMSおよびMOCVDプロセス等の物性を解析するCADソフトウェアの開発元として、常に最先端な技術で半導体オプトエレクトロニクス、電子デバイス・プロセス技術の先端物理モデルを提供するリーダーカンパニーです。 当社主力製品の3次元半導体レーザーダイオードシュミレーターPICS3Dは1998年、業界誌 Laser Focus World「レーザーフォーカスワールド」より Commercial Technology Achievement Award 「最優秀製品技術賞」を受賞しました。

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