加熱装置の製品一覧

  • 分類:加熱装置

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電池の基本概念から、利用目的・実現方法による分類までを体系化。複雑な電池選定の第一歩を、初心者目線で分かりやすくまとめました

  • 電池・バッテリー
  • 技術書・参考書
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静電式により高い捕集率を実現。大型から小型まで豊富なラインアップを展開。水溶性オイルミストにも対応

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  • 空調

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工業用ドライヤー。ヒーター部、送風機一体型コンパクト設計。

  • 加熱装置
  • 乾燥機器
  • ハーネス

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高周波誘導加熱により、ボルト作業時間と作業工数の大幅な削減!ボルトヒーター

  • 加熱装置

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アルミニウムビレットを効率的に素早く加熱

  • アルミヒータ
  • 加熱装置
  • その他ヒータ

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現場の声から誕生! 火気作業時の消火器・水バケツ・立ち合い人が不要になり手間もコスト削減。

  • 加熱装置

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モジュール式ビレットヒータで鍛造加熱にフレキシビリティを

  • 加熱装置

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サーマツールのインライン シームアニーラ

  • 加熱装置
  • その他ヒータ

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IRシリーズの高温観察炉を利用しデモ≪加熱/雰囲気操作/酸化実験≫金属/ろう材/セラミック/はんだ/ガラス等

  • 試験機器・装置
  • その他検査機器・装置
  • 加熱装置

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《高温依頼測定》最高1700℃~&雰囲気操作環境下の実験を体験!米倉製作所を代表するIRシリーズのデモ機を利用した高温観察≪加熱/雰囲気操作/酸化実験≫を、ぜひお試しください

~ 金属/ろう材/セラミック/はんだ/ガラス等 ~ 試験機メーカーの米倉製作所を代表する、集光加熱炉「IRシリーズ」のデモ機を利用した、高温観察を体験できる測定です。 IRシリーズの炉は密閉構造のため、雰囲気操作を行った環境下で*IR-18SPの場合、最高1700℃を出すことができます*。 実際に行った実験の動画や試験プログラムを確認し試験対象の変化をリアルタイムで捉えます。 *使用する装置はデモ機ですので、ご要望によっては対応いたしかねる場合がございますので、詳細はお問い合わせください。 *試験片の熱容量によって変動する可能性があります。 ▼IRシリーズ特徴▼ 急速加熱性能と温度制御の優位性、観察ポートからの情報が加熱実験時間の大幅短縮、最適な加熱条件のスクリーニングなどを容易にし、材料開発業務効率の向上に貢献できます。

各メーカーのホットプレートを取り扱っております。

  • 加熱装置

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パウダー状の乾燥結晶を得る研究用フィルタードライヤーです。加圧濾過器・棚式乾燥機のような製品固化・ロスをなくし工程を減らします。

  • その他粉体機器
  • 加熱装置

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磁気デバイスの基幹プロセスにベストな提案を。磁気専門メーカーが提供するアニール装置。

  • 加熱装置
  • 電気炉
  • 工業炉

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マイクロ波および高周波誘電加熱の加熱方式の違いを整理するとともに、これらの技術が応用されたプロセスの具体的な実用例をご紹介!

  • 高周波・マイクロ波部品
  • 加熱装置

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様々な形態に合わせシステム化されたマイクロ波加熱装置、特に大電力による量産システムをご紹介!

  • 加熱装置

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卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃! 還元雰囲気用メタル炉も製作致します。

  • 加熱装置
  • 電気炉
  • アニール炉

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4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】

Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜:3元同時成膜(RF150W or DC780W)+ HiPIMS(PulseDC 5KW) x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W(メインチャンバー) + <30Wソフトエッチング(LLチャンバー) 基板加熱:Max500℃, 800℃, 又は1000℃(C/C、又はSiCコート) 基板回転・上下昇降(ステッピングモーター自動制御) APC自動制御:アップストリーム(MFC流量調整)又はダウンストリーム(排気側バルブ自動開度調整) デポレート・膜厚レート制御 寸法:1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉(カーボン炉、タングステンメタル炉) 小型・省スペース実験炉

  • 加熱装置
  • アニール炉
  • 電気炉

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4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】

Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜:3元同時成膜(RF150W or DC780W)+ HiPIMS(PulseDC 5KW) x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W(メインチャンバー) + <30Wソフトエッチング(LLチャンバー) 基板加熱:Max500℃, 800℃, 又は1000℃(C/C、又はSiCコート) 基板回転・上下昇降(ステッピングモーター自動制御) APC自動制御:アップストリーム(MFC流量調整)又はダウンストリーム(排気側バルブ自動開度調整) デポレート・膜厚レート制御 寸法:1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

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