メモリの製品一覧
- 分類：メモリ
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１００万回繰り返しても壊れない！確実動作と高耐久性・低価格のマットスイッチ。工作機械のオプションなどにも。納期ご相談ください。
- センサ
直径３０ｍｍ程度から8インチ、高ライフタイム、１万オームを超えるような高抵抗も対応可能！薄化、チップ加工もアレンジいたします！
- その他半導体
- 加工受託
- ウエハー
【高速書込み・高書換え回数・低消費電力】バイナリカウンタ機能を内蔵したエンコーダ向け16kビット不揮発メモリ（FeRAM）
- メモリ
豊富な量産実績をもつ、高品質・高信頼性のメモリ
- メモリ
業界最小クラスの読出し電流により、補聴器、スマートウォッチなどに最適
- メモリ
FeRAM、ReRAM製品ウェブサイトのリニューアル
富士通セミコンダクターメモリソリューションは、FeRAM、ReRAM製品ウェブサイトをリニューアルしました。
5V動作の温度センサーを使用する車載および産業機械向けに最適
- メモリ
FeRAM、ReRAM製品ウェブサイトのリニューアル
富士通セミコンダクターメモリソリューションは、FeRAM、ReRAM製品ウェブサイトをリニューアルしました。
-55℃での低温動作を保証する64Kビット FeRAMを開発。 極寒地で信頼性の高い動作が要求される産業機械向けに最適
- メモリ
FeRAM、ReRAM製品ウェブサイトのリニューアル
富士通セミコンダクターメモリソリューションは、FeRAM、ReRAM製品ウェブサイトをリニューアルしました。
高温環境下での信頼性を保証する自動車、産業用ロボット向け不揮発性メモリ
- メモリ
FeRAM、ReRAM製品ウェブサイトのリニューアル
富士通セミコンダクターメモリソリューションは、FeRAM、ReRAM製品ウェブサイトをリニューアルしました。
ADASなどの先端車載市場向けに好適な不揮発性メモリ
- メモリ
125℃動作のFeRAMでは最大メモリ容量となる4Mビット品を開発
■高温環境下での信頼性を保証する車載向け、産業機械向けの不揮発性メモリ “MB85RS4MTY”は、倍増した4Mビットのメモリ容量と、1.8V～3.6Vのワイドレンジの電源電圧で動作するSPIインターフェースを持つ不揮発性メモリです。125℃の高温環境であっても動作電流が最大4mA（50MHz動作時）、パワーダウン電流が最大30µAと、消費電流を低く抑えているため環境に配慮したシステムの低消費電力化にも貢献します。 ■主な仕様 ・製品名：MB85RS4MTY ・容量（メモリ構成）：4Mビット（512K x 8ビット） ・インターフェース：SPI（シリアル・ペリフェラル・インターフェース） ・動作周波数：50MHz（最大） ・動作電源電圧：1.8V～3.6V ・動作温度範囲：-40℃～＋125℃ ・書込み/読出し保証回数：10兆回 ・パッケージ：8ピンDFN, 8ピンSOP
ウェアラブルデバイスの小型化・薄型化を実現する低消費電力の不揮発性メモリ
- メモリ
ネットワーク機器の性能向上に貢献する、高速動作の不揮発性メモリ4MビットFeRAM「MB85RQ4ML」
- メモリ
ドライブレコーダの位置情報などリアルタイムでのデータ書換えに好適なメモリ4MビットFeRAM「MB85RS4MT」
- メモリ
FAの制御機器、計測メータ、産業機械向けメモリとして最適1MビットFeRAM「MB85RC1MT」
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