メモリの製品一覧

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125℃動作を保証する、電源電圧が1.8Vの2MビットFeRAMを開発 

ADASなどの先端車載市場向けに最適な不揮発性メモリ 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社*は、125℃動作のFeRAMファミリーのラインナップに、1.8Vの低電圧で動作する2MビットFeRAM「MB85RS2MLY」を追加しました。本製品は、1.7V~1.95Vの低電源電圧で動作するSPIインターフェースのメモリです。現在、評価サンプルを提供中で、6月に量産品の提供を予定しています。 この新製品は、先進運転支援システム(ADAS)などの先端車載市場において低電圧動作が要求される電子制御ユニットに最適です。 ■主な仕様 製品名:MB85RS2MLY 容量(メモリ構成):2Mビット(256K x 8ビット) インターフェース:SPI(シリアル・ペリフェラル・インターフェース) 動作周波数:50MHz(最大) 動作電源電圧:1.7V~1.95V 動作温度範囲:-40℃~+125℃ 書込み/読出し保証回数:10兆回(1013回) パッケージ:8ピンSOP、8ピンDFN 品質規格:AEC-Q100グレード1準拠

不揮発性メモリFeRAMでは最大メモリ容量となる8Mビット品を開発。産業機械向けSRAMの置き換えにより、バッテリーの削減に貢献

  • メモリ

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FeRAM、ReRAM製品ウェブサイトのリニューアル

富士通セミコンダクターメモリソリューションは、FeRAM、ReRAM製品ウェブサイトをリニューアルしました。

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車載グレードに準拠した125℃動作の4MビットFeRAM、量産を開始

富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社は、125℃動作の 4MビットFeRAM「MB85RS4MTY」の量産品提供を、今月から開始しました。 本製品は、車載グレードと呼ばれる高品質規格AEC-Q100グレード1に 準拠しており、高信頼性が要求される車載向けの先進運転支援システム (ADAS)や高性能産業用ロボットに好適なメモリです。

SRAMと置き換えが可能な不揮発性メモリ、産業機械や業務機器のバッテリーレス・ソリューションを実現

  • メモリ

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Innodisk はお客様に最高品質の製品を提供するため、 様々な厳格なテストを 実施し安心を確保しています。

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オートメーション化された、ゴミ処理のためのストレージとAIプラットフォーム

  • メモリ

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Innodiskのクラウド管理プラットフォーム(iCAP)による、大規模なIoTの課題への取り組み

  • メモリ

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侵害の危険が迫った際に、素早く効果的にデータを削除して破壊することを目的とした数種類の技術にて構成されています。

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[アプリケーションスタディ]通信インフラストラクチャに適した信頼性が高く、高性能なDRAMモジュール

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小規模サーバーアプリケーションの負荷分散デバイス用のストレージとメモリ SATADOM&DDR4メモリモジュール

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