GHz帯 高周波ダイオード
GHz帯 高周波ダイオード
宇宙通信から、商用まで高周波ダイオードーをOEM供給してきた 米国、Massachusetts Bay Technologies社製の高周波ダイオードー 【特徴】 ○オリジナル製品だけではなく カスタマイズしたオーダーメイドの製造も可能 ○他社ダイオードーの同等品の設計製造が可能 ○原価低減や製造中止に対応可能 ●その他機能や詳細については、カタログダウンロード下さい。
- 企業:株式会社電販
- 価格:応相談
更新日: 集計期間:2025年08月27日~2025年09月23日
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GHz帯 高周波ダイオード
宇宙通信から、商用まで高周波ダイオードーをOEM供給してきた 米国、Massachusetts Bay Technologies社製の高周波ダイオードー 【特徴】 ○オリジナル製品だけではなく カスタマイズしたオーダーメイドの製造も可能 ○他社ダイオードーの同等品の設計製造が可能 ○原価低減や製造中止に対応可能 ●その他機能や詳細については、カタログダウンロード下さい。
高性能ダイオード 「ステップリカバリダイオード」のご紹介です。
高性能ダイオード 「ステップリカバリダイオード」のご紹介です。 米国Massachusetts Bay Technologies社では、高周波ディスクリートシリコン高周波半導体を設計製造しています。 エンドユーザーに対するサービスとして高い性能、品質を維持し、大学、研究所、通信をはじめとし、宇宙通信用・軍事用まで幅広いお客様に製品を供給しています。 ダイオード業界で50年培ってきた経験と実績により、他では製造できない特殊なダイオードもご提供可能です。 【特徴】 ○High Efficiency ○High Output Power ○Low Order Multiplication (N≦4) 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。
高性能ダイオード 「ピンダイオード」のご紹介です。
高性能ダイオード 「ピンダイオード」のご紹介です。 米国Massachusetts Bay Technologies社では、高周波ディスクリートシリコン高周波半導体を設計製造しています。 エンドユーザーに対するサービスとして高い性能、品質を維持し、大学、研究所、通信をはじめとし、宇宙通信用・軍事用まで幅広いお客様に製品を供給しています。 ダイオード業界で50年培ってきた経験と実績により、他では製造できない特殊なダイオードもご提供可能です。 【仕様】 ○Storage Temperature: -65°C to +175°C ○Operation Temperature: -65°C to +150°C ○Power Dissipation: 250 mW ○Beam Terminal Strength: Planar- 4 grams minimum / Mesa- 6 grams minimum 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。
高性能ダイオード 「ショットキーミキサ ダイオード」のご紹介です。
高性能ダイオード 「ショットキーミキサ ダイオード」のご紹介です。 米国Massachusetts Bay Technologies社では、高周波ディスクリートシリコン高周波半導体を設計製造しています。 エンドユーザーに対するサービスとして高い性能、品質を維持し、大学、研究所、通信をはじめとし、宇宙通信用・軍事用まで幅広いお客様に製品を供給しています。 ダイオード業界で50年培ってきた経験と実績により、他では製造できない特殊なダイオードもご提供可能です。 【仕様】 ○Storage Temperature: -65°C to +175°C ○Operation Temperature: -65°C to +150°C ○Incident RF CW Power: 100 mW max 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。
イメージングSIMSにより、局在する元素の評価が可能です
市販のSiC Schottky diodeを解体し、素子パターンを含む40um角の領域で深さ0.5umまでイメージングSIMS測定を行い、ドーパント元素であるAlの濃度分布を評価しました。 イメージングSIMS測定後のデータ処理から、試料面内に局在するAlの深さ方向濃度分布を抽出し、パターン毎に濃度分布の比較を行った事例をご紹介します。
高圧ダイオード 3kV、4kV、6kV、8kV、10kV、12kV、14kVをラインナップ
同社は中国江蘇省に1969年に設立されたダイオードメーカーで、 主力製品は高圧ダイオードで日系メーカーへの実績が多数ございます。 当カタログでは会社紹介、応用領域、高圧ダイオードの生産の流れなども 合わせて掲載しています。 【取り扱い高圧ダイオード】 ●3kV品:2CL703 ●4kV品:2CL704 ●6kV品:2CL70A ●8kV品:2CL71A ●10kV品:2CL72A ●12kV品:2CL73A ●14kV品:2Cl74A 【掲載内容(一部)】 ■会社概要 ■製品紹介 ■応用領域 ■高圧ダイオード生産流れ ■生産ライン ※DHM3 シリーズの相当品の取り扱いもざいます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高速かつ高耐圧で、損失低減と小型化が可能なため高耐圧パワー用途に最適です。650V ~ 1200V、5A ~ 10Aまで対応*
高度なパワーコンポーネントは、高いピーク順方向サージ能力、低い順方向電圧降下、熱抵抗の低減、 および電力損失の低減を必要とするコンバータなどのアプリケーションに最適。高効率を実現します。 SiCショットキ―バリアダイオードは、高速かつ高耐圧で 損失低減と小型化が可能なため高耐圧パワー用途に使用いただけます。 ◇特徴 ・低電力損失、高効率 ・低い逆方向リーク電流 ・高ピーク順方向サージ電流能力(IFSM) ・EMIの低減 ・最⼤動作TJ は175 °C まで ・UL 94V-0規格 ・RoHS準拠、無鉛、ハロゲンフリー 複数パッケージから選定可能。 高周波スイッチング電源に適しています。 ・TO220-2 ・TO247-3 ・TO252 ・DFN8x8
MIMトンネルダイオードに粒子層を導入し整流性能を向上!粒子層無と比較して整流性能が大幅に向上!
・ 赤外領域、テラヘルツ領域の周波数の信号を取り出して整流する際、応答速度の観点から、金属/絶縁体/金属構成のトンネルダイオード(MIMトンネルダイオード)が好適に用いられる・しかしながら既存のMIMトンネルダイオードの整流性能をさらに向上させようとしても、電気抵抗と非対称性がトレードオフの関係にあるため、整流性能の向上が難しいという課題があった。・ 本発明は、MIMトンネルダイオードに金属の微粒子層(NPs)を導入し、電場集中効果により順方向時と逆方向時バイアスでトンネル形状を変化させることで、前記課題を解決することに成功した。・ 本発明はNPsの無いMIMトンネルダイオードに比して整流性能が大幅に向上したため、赤外及びテラヘルツ領域を対象とした高周波デバイス(光レクテナ、IR、THz検出器等)への応用が期待できる。
各種通信機器の送受信アンテナ切替回路に! 面実装小型パッケージ(2.5x1.2x0.8mm)のスイッチング用PINダイオード
「L5204F」は、各種無線通信器機の送受信アンテナ切替等の高周波電力スイッチング用に設計されたプラスチックモールドパッケージのPINダイオードです。RFIDリーダ、ライタの用途にも適しています。 【主な特長】 ○ VHF、UHF帯での電力スイッチングが可能 ○ 挿入損失が小さく、アイソレーションが高い ○ 順直列抵抗が小さい ○ 端子間容量が小さい 〇 Rfs(typ)=0.5Ω @IF=50mA, f=100MHz 〇 Ct(typ)=0.6pF @VR=40V, f=100MHz ○ 面実装タイプのプラスティックモールドパッケージ ○ RoHS対応 ●詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
セラミックパッケージのスタンダード品
「L8104」は、各種無線通信器機の送受信アンテナ切替等の高周波電力スイッチング用に設計されたセラミックパッケージのPINダイオードです。 【特長】 ○ VHF、UHF帯での電力スイッチングが可能 ○ 挿入損失が小さく、アイソレーションが高い ○ 順直列抵抗が小さい 〇 Rfs(typ)=0.5Ω @IF=50mA, f=100MHz 〇 Ct(typ)=0.8pF @VR=40V, f=100MHz 〇 ハーメチックセラミックMELFパッケージ ○ RoHS対応品 〇 Pbフリー ●詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
モールドパッケージの低消費電力品
「L5208F」は、各種ポータブル無線通信器機の送受信アンテナ切替等の高周波電力スイッチング用に設計されたプラスチックモールドパッケージのPINダイオードです。VHF/UHF帯用のアンテナスイッチに適しています。 【主な特長】 ○ VHF/UHF帯用ポータブル無線機のアンテナスイッチに最適 ○ 順直列抵抗が小さい ○ 端子間容量が小さい 〇 Rfs(typ)=0.45Ω @IF=10mA, f=100MHz 〇 Ct(typ)=0.6pF @VR=20V, f=100MHz ○ RoHS対応 ○ Pbフリー/ハロゲンフリー ●詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
セラミックパッケージの高耐圧品
L8104-240は各種無線通信器機の送受信アンテナ切替等の高周波電力スイッチング用に設計されたセラミックパッケージのPINダイオードです。 【主な特徴】 ○ VHF、UHF帯での電力スイッチングが可能 ○ 逆電流が低い ○ 挿入損失が小さく、アイソレーションが高い ○ 順直列抵抗が小さい ○ 尖頭逆電圧 240V 〇 Rfs(typ)=0.5Ω @IF=50mA, f=100MHz 〇 Ct(typ)=0.8pF @VR=40V, f=100MHz ●詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
世界中の一流電子機器・電機メーカーが採用するComchip社とは?
COMCHIP TECHNOLOGY CO., LTD(以下Cokchip社)は、2000年に設立した台湾のダイオード専門メーカーです。 オムロン韓国、Microsoft, Qualcomm, CompalComm, Flextronics,AUO, Garmin, Tomtom, Altek, Chicony, HP, Wintec, Kontron Whirlpool, Molex, Philips,GE, ICON, Primax, Innolux, Digikeyなど、世界の名だたるメーカーが採用しています。 【生産品目】 ・ESD保護ダイオード ・ESD保護ダイオードアレイ ・過渡電圧サプレッサ ・一般整流ダイオード ・高速整流ダイオード ・超高速整流ダイオード ・整流ブリッジダイオード ・小信号ショットキーバリアダイオード ・整流用ショットキーダイオード ・小信号スイッチングダイオード ・ツェナーダイオード ※弊社はComchip Technology社の日本総代理店です。 お引き合い製品につきましては、弊社までお問い合わせ下さい。
ピーク繰返し逆電圧:10KV;平均順電流:5mA;最大サージ電流:0.5A;逆回復時間:100nS
Place of Origin: Liaoning, China (Mainland) ;Brand Name: LeadSun ;Model Number: 2CL72 ;Type: Rectifier Diode; Package Type: Surface Mount; Max. Forward Voltage: 5V~500V ;Max. Reverse Voltage: 5KV~500KV; Max. Forward Current: 5mA~60A ;Max. Reverse Current: 1.0μA~200μA ;Customzied: 1KV to 500KV