HVRT200 高圧ダイオード 20KV 30mA
高圧ダイオード
VRRM: 20KV IF(AV): 30mA IFSM: 1A Tstg: -40~+150℃ VFM:45V Size:φ3*12mm
- 企業:鞍山雷盛電子有限会社
- 価格:応相談
更新日: 集計期間:2025年07月16日~2025年08月12日
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高圧ダイオード
VRRM: 20KV IF(AV): 30mA IFSM: 1A Tstg: -40~+150℃ VFM:45V Size:φ3*12mm
高圧ダイオード
VRRM: 3KV IF(AV): 50mA IFSM: 3.0A Tstg: -55~+175℃ VFM:4.5V Size:φ2.5*6.5mm
低スイッチング損失を実現! JSCJ製SiCショットキーバリアダイオード
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種半導体を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせください。 型番:CSD06H65(TO-220-2L) 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司(JSCJ)は半導体製造の後工程(パッケージおよびテスト)受託企業(OSAT)として、 世界第三位(2017)の江蘇長電科技有限公司(JCET)のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※最新のデータシートをメーカーより取り寄せしますのでお気軽にリクエストください。
電気自動車の本場中国からAEC-Q101準拠のスイッチングダイオードをご紹介
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 JSCJでは、汎用的なアプリケーションで使用されるトランジスタ・MOSFET・ダイオードなどに加え 近年ではAEC-Q101準拠品のラインナップの拡充にも力を入れています。 お気軽にお問い合わせください。 例 型番:AD-1SS355(SOD-323) *AD-なしは民生品(AEC-Q101非準拠品)になります。 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司(JSCJ)は半導体製造の後工程(パッケージおよびテスト)受託企業(OSAT)として、 世界第三位(2017)の江蘇長電科技有限公司(JCET)のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※最新のデータシートをメーカーより取り寄せしますのでお気軽にリクエストください。
ディスクリートパッケージでの電力密度が向上し、小型で軽量な設計が可能に!
『650 Vエミッタソフト制御Siダイオード』は、TO247-2パッケージを 搭載している産業用シリコンダイオードです。 ストリングインバーター、マイクロインバーター、データセンターUPS、 オフラインUPS/住宅用UPS、オンラインUPS/産業用UPS、住宅用エアコン および溶接機などのアプリケーション向けに、高い信頼性を実現。 産業用および家庭用電化製品アプリケーションの信頼性を向上させます。 【特長】 ■最大150Aの高い電流定格デバイス ■きわめてソフトで高速なリカバリー動作 ■HV-H3TRB(高温高湿バイアス試験)でJEDEC規格に準拠 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
TO247-2パッケージ搭載!独自の高電流定格(最大140A)により電力密度が向上
超高速ソフトリカバリーの『1200V EC7ダイオード』は、産業用および 家庭用電化製品アプリケーション、ソーラーMPPTブースト、EV充電用 三相整流回路 (Vienna Rectifierトポロジー)の信頼性を向上させます。 さらに、TO247-2パッケージの採用により、放電に関連する故障モードが 低減。独自の高電流定格(最大140A)により、ディスクリートパッケージでの 電力密度が向上し、小型で軽量な設計が可能になります。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■低い順方向電圧(VF) ■低い逆回復電流 ■超高速な逆回復時間 ■JEDEC規格 HV-H3TRB(高温高湿バイアス試験)に準拠 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。