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最大正方向電圧：96V最大回復電圧：80KV最大正方向電流：3.0A最大回復電流：200μA
New Products 2CL40KV/3.0A high stability rectifier half bridge rectifier : Feature: Avalanche characteristic More sizes available vacuum molded, non-corrosive epoxy resin case Tj:-40℃——+120℃ Application: Electrostatic cleaning High Voltage testing equipment General purpose high voltage rectigier
最大正方向電圧：30V最大回復電圧：15KV最大正方向電流：1.0A最大回復電流：10μA
QLG15KV/1.0A high voltage high frequency rectifier diode full bridge : Feature: Avalanche characteristic More sizes available vacuum molded, non-corrosive epoxy resin case Tj:-40℃——+120℃ Application: Electrostatic cleaning High Voltage testing equipment General purpose high voltage rectigier
最大正方向電圧： 14.4V 最大回復電圧： 12KＶ 最大正方向電流： 3.0A 最大回復電流： 200μA
Hot Selling QL12KV/3.0A high frequency switching rectifier full bridge : Feature: Avalanche characteristic More sizes available vacuum molded, non-corrosive epoxy resin case Tj:-40℃——+120℃ Application: Electrostatic cleaning High Voltage testing equipment General purpose high voltage rectigier
ピーク繰り返し逆電圧：15KV；平均順電流：200mA；サージ電流：20A；保存温度：-40~+120 ℃接合部温度：120℃
番号 項目 記号 定格 単位 1 ピーク繰り返し逆電圧 Vrrm 15 KV 2 最大接合部温度 Tjmax 120 ℃ 3 保存温度 Tstg -40~+120 ℃ 4 平均順電流 Io 200 mA 5 サージ順電流 Ifsm 20 A 番号 項目 記号 定格 単位 条件 1 常温反転電流 Ir1 5.0max uA Vr=Vrrm 2 高温反転電流 Ir2 50max uA Vr=Vrrm,Tamb=100 ℃ 3 順方向ピーク電圧 Vf 35.0 V If=350mA 4 反転回復時間 Trr 100 nS If=50mA,Ir=100mA
高圧整流ボード2CLG250KV/3.0A PCB ファスト回復 250KV
Extreme(Absolute Maximum Rating) Item Symbol Unit Conditions Vlotage Revetitive Peak Reverse Voltage Vrrm KV Ta=25ºC Ir=1.0mA 250.0 Peak Working Reverse Voltage Vrwm KV Ta=25ºC Ir=1.0mA 250.0 No-Revetitive Peak Reverse Voltage Vrsm KV Ta=25ºC Ir=1.0mA 300.0 Average Forward Current Io A 3.0 Surge Forward Output Current Ifsm A 40.0 Operating Ambient Temperature Ta ºC -40~+150 Junction and Storage Temperature Tstg ºC -40~+150
静電除染用PCB整流ボード 150KV 220KV 250KV
150KV 15A 25nS 240*100*45 130KV 8A 75nS 240*100*45 70KV 8A 75nS/120nS 240*100*45
35KV
High voltage fast recovery rectifier diodes 2CL2FR : Peak reverse repetitive voltage: 35KV Average current: 60mA Max foward voltage: 52V Max forward surge current: 10A Leakage current: 2.0uA Dimension: φ7.5*22mm Trr: 100nS
20KV800mA 100nS
Peak reverse repetitive voltage: 20KV Average current: 800mA Max foward voltage: 50V Max forward surge current: 20A Leakage current: 5.0uA Dimension: φ4.5*15mm Trr: 100nS
Vrrm： 35KV If（AV）：100mA
Vrrm: 35KV If(AV): Ta=25℃ 60mA Ta=55℃ 100mA Ifsm: 10A Tstg: -55~+175℃ Vfm: 52V Trr: 100nS size: φ7.5*22mm
逆流防止ダイオードモジュール (3000V 耐圧) を受注開始
ダイオードチップは、独自の高耐圧保持構造と拡散技術の融合で 3000V超高耐圧と低損失(低VF)を実現。 3000V超高耐圧モジュールに要求される「空間距離」「沿面距離」 「絶縁耐圧」を新開発パッケージで確保。 さらに、高放熱(低熱抵抗)を実現。 ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。
MP8はシリコンより50%高い効率を誇り、強固な組み立てと高温耐性を備えた先進的な絶縁アプリケーションを実現。
AZUR SPACE社から登場したIII-V系の高性能光受信チップMP8は、絶縁製品に最適です。標準のシリコンソリューションに比べて50%高い電力変換効率を実現し、コンパクトなサイズで高電圧レベルでの高出力電流を維持します。MP8のモノリシック設計は、不均一な照明に対しても耐性を持ち、高温環境にも適しています。主な特徴は以下の通りです： - 高効率 - 堅牢で組み立てやすい - 不均一な光分布に対する耐性 - 低温度係数 これらの特徴により、MP8は絶縁MOSFETドライバー、固体リレー用フォトディテクター、浮動電源供給などのアプリケーションに理想的な選択肢となります。
・ゼロバイアスショットキーダイオード ・テラヘルツパワーに最適化された出力信号 ・テラヘルツイメージングに最適
・ゼロバイアスショットキーダイオード ・テラヘルツパワーに最適化された出力信号 ・テラヘルツイメージングに最適 ・2つのバージョン: 高感度 / 広バンド幅 ・超高速バージョンでは全てのTHｚパルスの測定が可能に
開発したデバイスの大電流駆動化を進め、2021年度からの製品化を目指します。
当技術資料は『超低損失酸化ガリウム ショットキーバリアダイオード』 について掲載しています。 当社では、市販のSiC製ショットキーダイオードよりも順方向損失を 最大で40％低減することに成功しました。 開発したデバイスの大電流駆動化を進め、2021年度からの製品化を目指します。 また「酸化ガリウム トレンチMOSFET」についてもご紹介しています。 【掲載内容】 ■超低損失酸化ガリウム ショットキーバリアダイオード ■酸化ガリウム トレンチMOSFET ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Central Semiconductor ショットキーダイオード CMOSH-4E
セントラセミコンダクタ―社の下記4製品は自動運転システムの「LiDAR」に最適なデバイスとなっており、海外LiDARメーカーに採用されている製品となります。
高速信号の性能向上！2系統の低用量ESD保護、差動ペアに好適
『ESD123-B2-W0201』は、低容量、2線式、双方向性ESD/過渡電流 保護ダイオード(TVS：過渡電圧サプレッサ)です。 主な利点は、USB対応ESD(静電気放電)保護、高速信号の性能向上、 差動ペアごとに1デバイス。 対象アプリケーションには、高速I/Oや静電容量検出アプリケーションが ございます。 【主な特長】 ■低用量 ■超小型パッケージに2系統の保護 ■小型パッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
