InGaAs VIS／NIRフォトダイオード
GPD社は、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオード、赤外フォトディテクタを製造している世界的な会社です
■有口径：0.3mm～5mm ■波長：0.5～1.7μm ■リニアオペレーション ■低暗電流、高感度 ■ファイバピグテール(シングルモード／マルチモード) ■パッケージ：TO-46、TO-18、TO-5、TO-8
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：1万円 ~ 10万円
ダイオード×株式会社オプトロンサイエンス - 企業1社の製品一覧
製品一覧
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2色サンドイッチフォトダイオード
Two-Color Sandwich PD
■InGaAsの上にSi(1.7、2.05、2.2、2.6μm) ■上部受光部有効径：2.0mm又は5.0mm ■下部受光部有効径：1mm、2.0mm又は3.0mm ■InGaAs(1.7、2.05、2.2、2.6μm)の上にInGaAs(1.7μm) ■下部受光部有効径：1mm又は2.0mm ■標準パッケージ：TO-5、TO-8
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：1万円 ~ 10万円
4分割 InGaAsフォトダイオード
InGaAS Quadrant PD
■波長レンジ：800nm～1700nm ■有効径：0.5／1.0／1.5／2.0／3.0mm ■高感度 ■高シャント抵抗 ■低暗電流 ■高セグメント帯域幅向け低容量 ■標準パッケージ：TO-5、TO-18
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：1万円 ~ 10万円
InGaAsアバランシェフォトダイオード
InGaAs Avalanche PD
■有口径：80μm～350μm ■感度波長範囲：900nm～1650nm ■リニア動作 ■高感度向け低暗電流 ■高速向け低キャパシタンス ■高信頼性ファイバピグテール(シングルモード／マルチモード) ■パッケージ：ボールレンズ付サブマウント、TO-46
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：1万円 ~ 10万円
大口径 InGaAsフォトダイオード
Large Area InGaAs PD
■有口径：0.5mm～5mm ■カットオフ波長：1.7μm ■高感度用シャント抵抗 ■各種レンズ選択可能：両凸レンズ、片平レンズ、ボールレンズ ■光学フィルタ：濃度及びバンドパスフィルタ ■パッケージ：TO-46、TO-18、TO-5、TO-8
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：1万円 ~ 10万円
GaAs PIN-フォトダイオード(PIN-PD)
VCSEL光通信用に最適なGaAs PIN-フォトダイオード(TO-46 Can／ROSA対応)
■最大25Gbpsまで対応 ■SC／LCレセプタクル対応ROSA or TO46-CANパッケージでの提供が可能 ■ボールレンズ or ドームレンズ付き／TIA付き
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：応相談
スーパールミネッセントダイオード (SLED)
QPhotonicsは200～1700nmレンジの光半導体デバイスを多数供給しています
■波長：650～1660nmのスーパールミネッセントダイオード(SLED) ■空間出力／ファイバ出力
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：応相談
Siはんだ付け可能チップフォトダイオード
◆感度範囲：400nm～1100nm◆はんだ付け可能チップフォトダイオード◆太陽電池等◆光導電性（太陽電池）はんだ付け可能チップ
■大きい有効径 ■豊富なサイズ ■高シャント抵抗 ■リード付又はリード無し 大きな活性面積光検出器または検出器は「使い捨て」とみなされる場合を必要とするアプリケーションに低コストのアプローチとなります。ハンダ付けリード付きまたはスタンドアロンのベアダイとして使用できます。感度範囲は400nm～1100nmです。
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：応相談
InGaAs高速フォトダイオード
◆高速70μm InGaAsフォトディテクター◆TO-46パッケージで密閉したTIAとディテクターを結合
FCI-H155/622M-InGaAs-70シリーズは、広範囲なトランスインピーダンスアンプを備えた高速70μm InGaAsフォトディテクターです。4 ピン TO-46パッケージで密閉したTIAとディテクターを結合することで、高速シグナルディテクションとアンプの理想的な状態を提供します。 【モデル名：アクティブエリア(直径)・応答度1310nm・応答度1550nm・ダークカレント・キャパシタンス・ライズタイム・逆電圧】 ●FCI-InGaAs-70：70 μm・0.9 A/W・0.95 A/W・0.03 nA、Vr=5.0V・1.5 pF、Vr=5.0V・0.2 ns、Vr=5.0V・20 V、max ●FCI-InGaAs-120：120 μm・0.9 A/W・0.95 A/W・0.05 nA、Vr=5.0V・2 pF、Vr=5.0V・0.3 ns、Vr=5.0V・20 V、max ●FCI-InGaAs-300：300 μm・0.9 A/W・0.95 A/W・0.3 nA、Vr=5.0V・10 pF、Vr=5.0V・1.5 ns、Vr=5.0V・15 V、max
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：応相談
Nd-YAG最適化フォトダイオード
◆Nd:YAG感度 高耐電圧 ◆大きい有効径 ◆高速感度 ◆高精度 ◆低電気容量、低ノイズ、高速操作が可能
◆YAGレーザー出力光の位置検出用 ◆1060nmで高感度に最適化されたフォトダイオード ◆高い逆バイアス電圧(200ボルト)で操作 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。 長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：応相談
紫外 ＋可視光 波長用フォトダイオード
◆石英又は紫外透過ガラス窓付でパッケージ ◆低い暗電流、低い静電容量のための逆バイアスで高速時のパフォーマンスを上昇
◆波長感度は200nmから1100nm 石英又は紫外透過ガラス窓付でパッケージされた、それらのディテクターは200nmから1100nmの波長感度です。 それらは、低い暗電流、低い静電容量のための逆バイアスで高速時のパフォーマンスを上昇することができます。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
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- 価格：応相談
Siプラスチックカプセルフォトダイオード
◆プラスチックカプセル化されたフォトダイオード ◆高品質、高信頼性 ◆高密度パッケージ ◆強固なモールドパッケージ
・低暗電流 ・標準リード ・SMT ・モールドレンズ ・横向きあり ・チップ上にフィルター(700nmカットオフ） OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち30年以上の経験があります。当社は大量生産の要件を満たすための効率的な製造と優れたエンジニアリングソリューションを作り出し続けています。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
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- 価格：応相談
GaAsフォトダイオード OSI optoelectronics
◆GaAsフォトダイオード ◆GaAsを基にした半導体の光センサ ◆400から850nmに感度があり
アクティブエリアに入射された時にフォトカレントを発生するGaAsを基にした半導体の光センサです。 一般的に400から850nmに感度があります。 【フォトダイオードアレイ】 FCI-GaAs-XXmは、高速ファイバーレシーバやアプリケーションモニタ用にデザインされた4 から 12素子のGaAs PINフォトディテクターアレイです。 ●仕様 ［モデル名：アクティブエリア・応答性・キャパシタンス・ダーク・カレント・最大逆電圧・最大フォワードカレント・バンド幅・ブレイクダウン・電圧・パッケージ］ ・FCI-GaAS-4M：70um・0.63 A/W 850nm・0.65 pF・0.03 nA・20 V max・5 mA・2 GHz 850 nm・50 V・FCI-GaAS-4M ・FCI-GaAS-12M：70um・0.63 A/W 850nm・0.65 pF・0.03 nA・20 V max・5 mA・2 GHz 850 nm・50 V・FCI-GaAS-12M
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：応相談
レーザダイオード+TECコントローラ(6300シリーズ)
60Wの温度コントローラと100mA～4Aのドライバを組合わせたベンチトップインスツルメント
■フォトダイオード・モジュレーションインプット・プログラミングPDバイアス・RS-232・USBコンピュータインターフェースなどを備えている ■レーザソース向けには、プロテクションサーキット・インターロック・静電気プロテクションなどが装備されている
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：応相談
低偏波依存性損失 InGaAsフォトダイオード
Low PDL InGaAs フォトダイオード
■有効径：0.3～5mm ■高感度 ■カットオフ周波数(1.7um) ■低偏波依存性損失(Low PDL) ■コネクタ付可能(FC、SC、ST、SMA)
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：1万円 ~ 10万円
