半導体 PINフォトダイオード
光通信用フォトダイオード
オプトテクノでは、センサの高機能化・複雑化にともなうさまざまなニーズにきめ細かにお応えするため、カスタム・メイド半導体の設計・製作に力を入れています。 半導体の小型化、軽量化、高密度化などお気軽にご相談ください。 試作品の仕様の打ち合わせから量産までトータル・システムで承っておりますので、製作工数や部品購入費・管理費の削減など、製造諸費用のさらなるコストダウンがはかれます。
- 企業:株式会社オプトテクノ
- 価格:応相談
更新日: 集計期間:2025年11月26日~2025年12月23日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
更新日: 集計期間:2025年11月26日~2025年12月23日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
更新日: 集計期間:2025年11月26日~2025年12月23日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
61~75 件を表示 / 全 639 件
光通信用フォトダイオード
オプトテクノでは、センサの高機能化・複雑化にともなうさまざまなニーズにきめ細かにお応えするため、カスタム・メイド半導体の設計・製作に力を入れています。 半導体の小型化、軽量化、高密度化などお気軽にご相談ください。 試作品の仕様の打ち合わせから量産までトータル・システムで承っておりますので、製作工数や部品購入費・管理費の削減など、製造諸費用のさらなるコストダウンがはかれます。
出力範囲は1mW–12Wをカバー!375~1920nm範囲のファイバーカップルレーザー光源
当社で取り扱うWavespectrum Laser製の「OEMファイバーカップル・ ダイオードレーザーシステム」をご紹介いたします。 375~1920nm範囲のファイバーカップルレーザー光源で、 シングルモードファイバー、マルチモードファイバー、 偏波保持ファイバを使用。 出力範囲は1mW–12Wをカバーします。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■375~1920nm範囲のファイバーカップルレーザー光源 ■シングルモードファイバー、マルチモードファイバー、 偏波保持ファイバを使用 ■出力範囲は1mW–12Wをカバー ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
ビルトインモニターフォトダイオード!ARコートフロントファセット可能
当社で取り扱う「QPhotonics製シングルモードレーザーダイオード」を ご紹介いたします。 埋め込みメサ構造で、ファブリペロー光共振器となっております。 低いキャパシタンスの製品です。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■ファブリペロー光共振器 ■単一横モード ■5-150mW in wavelength range 735-1600nm. ■InGaAs,AlGaAs または InGaAsP MQW ■埋め込みメサ構造 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
埋め込みメサ構造!低キャパシタンス、100×1.5μm エミッティングエリア
当社で取り扱う「QPhotonics製フリースペースマルチモードレーザー ダイオード」をご紹介いたします。 低キャパシタンスの製品で、埋め込みメサ構造となっております。 ビルトインモニターフォトダイオードです。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■ファブリペロー光共振器 ■マルチ横モード ■InGaAsP または AlGaAs MQW ■埋め込みメサ構造 ■低キャパシタンス ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
630-1650nm、800-1650nm、1000-1650nmの波長帯域の製品をご提供!
当社で取り扱う「InGaAs PIN フォトダイオード」をご紹介いたします。 630-1650nmの製品は、QSPDI-25ミニチュア積分球モジュール、 レセプタクル付属(FC、ST、SC、U1.25またはU2.5アダプター)。 また、800-1650nmの製品は、2-3GHz同軸マウントフォトダイオード、 FC,ST,SC,U1.25 or U2.5 adapterに互換性のあるモジュールがございます。 【ラインアップ(一部)】 ■630-1650nm ・QSPDI-25ミニチュア積分球モジュール、レセプタクル付属 (FC、ST、SC、U1.25またはU2.5アダプター) ■800-1650nm ・2-3GHz同軸マウントフォトダイオード ・FC,ST,SC,U1.25 or U2.5 adapterに互換性のあるモジュール ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
太陽光発電逆流防止 12A 1,000Vdc対応 100時間塩水噴霧合格 IP67
太陽電池ストリング間の電圧差により発生する逆電流の防止用として開発いたしました。 アルミ筐体を採用する事により、高い放熱性能と防水性能を達成いたしました。 接続箱から逆流防止ダイオードを除去することによって、接続箱のサイズを小さくするだけでなく、接続箱の温度を低下させるだけでなく。 アルミ製筐体は金属製架台に取り付ける事により放熱性をより高め、ダイオードの運転温度を低いレベルで維持する事が可能です。
モールドパッケージの広帯域対応品
「5206F」はWLAN、WiMAX、 計測機器、その他高周波機器のRFスイッチ用に設計されたプラスチックモールドパッケージのPINダイオードです。 【主な特徴】 〇 順直列抵抗が小さい 〇 インサーションロスが少ない 〇 端子間容量が小さい 〇 アイソレーションが高い 〇 Rfs(typ)=1Ω @IF=50mA, f=100MHz 〇 Ct(typ)=0.15pF @VR=40V, f=100MHz 〇 RoHS対応 〇 Pb フリー / ハロゲンフリー ● 詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
各メーカー品の生産終了予定&サポート期限に不安をお抱えの方に最適!世界の一流電子機器・電機メーカーが採用するダイオードを紹介!
COMCHIP TECHNOLOGY CO., LTD(以下Comchip社)は、2000年に設立した台湾のダイオード専門メーカーです。 国内外のダイオードメーカー品を採用中で、生産終了予定、サポート期限が迫り、お困りのエンジニアの方々に最適なご提案が可能です。 ライテックが取り扱うComchip社製品は、長期サポートが選ばれる理由です! 開発・設計に安心して取り組んで頂けます。 【人気ラインナップ】 ○電源周りのハイパワー用ブリッジ整流ダイオード ○過渡電圧サプレッサ(TVS) ○整流用ショットキーダイオード ○高速通信用の ESD保護ダイオード、ESD保護ダイオードアレイ ※弊社はComchip Technology社の日本総代理店です。 お引き合い製品につきましては、弊社までお問い合わせください。
世界トップクラスの超低VFを実現!注目製品をご紹介いたします
当社では、超低VFブリッジダイオード『LMシリーズ』を 取り扱っております。 世界トップクラスの超低VFを実現。高サージ耐量(IFSM)になっており、 600V/25Aです。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■超低VFを実現 ■高サージ耐量(IFSM) ■600V/25A ■量産中 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
超高速FRD、リカバリ電流を40%削減!低ノイズ(ノイズ対策部品の削減)
当社では、PFC用第5世代FRD『Zシリーズ』を取り扱っております。 超高速FRDとなっており、リカバリ電流を40%削減。 低ノイズ(ノイズ対策部品の削減)の製品。 また、サンプルもご用意しております。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■超高速FRD ■リカバリ電流を40%削減 ■低ノイズ(ノイズ対策部品の削減) ■650V/10A、20A ■サンプルあり ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
面実装整流素子や一般整流ダイオードなどを紹介します。
整流ダイオード 総合カタログでは、一般整流素子や高速整流素子、高効率整流素子などの「面実装整流素子」、1.0Aシリーズや1.5Aシリーズなどの「一般整流ダイオード」、150~500nsの「高速整流ダイオード」、50~70nsの「高効率整流ダイオード」、25~35nsの「超高速ダイオード」、「ショットキーバリアダイオード」等を紹介しています。 【掲載製品】 ○面実装整流素子 ○一般整流ダイオード ○高速整流ダイオード ○超高速ダイオード ○ショットキーバリアダイオード 他 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
ピーク繰返し逆電圧:6KV;平均順電流:5mA;最大サージ電流:0.5A逆回復時間:80nS;寸法:φ3*8mm;
6KV 5mA 100nS fast recovery high voltage diode 2CL70 : Peak reverse repetitive voltage: 6KV Average current: 5mA Max foward voltage: 24V Max forward surge current: 0.5A Leakage current: 2.0uA Dimension: φ3*8mm Trr: 80nS
ピーク繰返し逆電圧;12KV;平均順電流: 5mA;最大サージ電流: 0.5A 寸法:φ3*12mm;
12KV 5mA fast recovery high voltage diode 2CL73 : Peak reverse repetitive voltage: 12KV Average current: 5mA Max foward voltage: 45V Max forward surge current: 0.5A Leakage current: 2.0uA Dimension: φ3*12mm Trr: 80nS-100nS
ピーク繰返し逆電圧:15KV;平均順電流:25mA;サージ電流:0.5A ;低漏れ電流: 2.0uA;
15KV high voltage rectifier diode 2CLG15KV25mA : RoHS Certification and high reliability low reverse current level fast recover time Peak reverse repetitive voltage: 15KV Max foward voltage: 30V Average forward current: 25mA Surge current: 0.5A Leakage current: 2.0uA
ピーク繰返し逆電圧:20KV;平均順電流:25mA;サージ電流: 0.5A;低漏れ電流: 2.0uA;
20KV fast recovery high voltage diode 2CLG20KV25mA : RoHS Certification and high reliability low reverse current level fast recover time Peak reverse repetitive voltage: 20KV Max foward voltage: 30V Average forward current: 25mA Surge current: 0.5A Leakage current: 2.0uA