更新日： 集計期間:2025年05月28日～2025年06月24日
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タイプ：整流ダイオード；最大正方向電圧：64V；最大回復電圧：36KＶ；最大正方向電流：5.0A；最大回復電流：50.0μA
New Original high voltage silicon diode HV5036 for RF machine High cycle industrial micro wave : Feature: In air epoxy resin molded in vacuum have anticorrosion in the surface Tj:-40℃——+150℃ Application: High voltage rectifier used in electrostatic cleaning High voltage generator High voltage testing equipment General purpose high voltage rectifier voltage multiplier assembly
最大正方向電圧：5V~500V最大回復電圧；5KV~500KV最大正方向電流：5mA~60A最大回復電流：1.0μA~200μA
high voltage particle accelerator diode 2CL150KV/0.2A for HV generator transformer testing and electrostatic generator : Feature: Avalanche characteristic More sizes to choose vacuum molded non-corrosive epoxy resin case Tj:-40℃——+120℃ Application: High voltage rectifier used in electrostatic cleaning High voltage generator High voltage testing equipment General purpose high voltage rectifier voltage multiplier assembly
最大正方向電圧：5V~500V最大回復電圧：5KV~500KV最大正方向電流：5mA~60A最大回復電流：1.0μA~200μA
International high frequency particle accelerator diode 2*2CLG250KV/5.0A-W half bridge electrostatic precipitator rectifiers : Feature: Avalanche characteristic More sizes to choose vacuum molded non-corrosive epoxy resin case Tj:-40℃——+120℃ Application: High voltage rectifier used in electrostatic cleaning High voltage generator High voltage testing equipment General purpose high voltage rectifier voltage multiplier assembly
最大正方向電圧：5V~500V最大回復電圧：5KV~500KV最大正方向電流：5mA~60A最大回復電流：1.0μA~200μA
New Products 2CLG30KV/10mA particle accelerator diode for electrostatic powder coating electrostatic flocking : Feature: Avalanche characteristic More sizes to choose epoxy resin molded in vacuum have anticorrosion in the surface Tj:-40℃——+120℃ Application: High voltage rectifier used in electrostatic cleaning High voltage generator High voltage testing equipment General purpose high voltage rectifier voltage multiplier assembly
◆ラージアクティブエリア ◆ビームの移動確認等に最適 ◆センサー用途
FCI-InGaAs-QXXXシリーズは、アクティブエリアを大口径にしたInGaAsフォトダイオードです。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
◆石英又は紫外透過ガラス窓付でパッケージ ◆低い暗電流、低い静電容量のための逆バイアスで高速時のパフォーマンスを上昇
◆波長感度は200nmから1100nm 石英又は紫外透過ガラス窓付でパッケージされた、それらのディテクターは200nmから1100nmの波長感度です。 それらは、低い暗電流、低い静電容量のための逆バイアスで高速時のパフォーマンスを上昇することができます。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
◆高速70μm InGaAsフォトディテクター◆TO-46パッケージで密閉したTIAとディテクターを結合
FCI-H155/622M-InGaAs-70シリーズは、広範囲なトランスインピーダンスアンプを備えた高速70μm InGaAsフォトディテクターです。4 ピン TO-46パッケージで密閉したTIAとディテクターを結合することで、高速シグナルディテクションとアンプの理想的な状態を提供します。 【モデル名：アクティブエリア(直径)・応答度1310nm・応答度1550nm・ダークカレント・キャパシタンス・ライズタイム・逆電圧】 ●FCI-InGaAs-70：70 μm・0.9 A/W・0.95 A/W・0.03 nA、Vr=5.0V・1.5 pF、Vr=5.0V・0.2 ns、Vr=5.0V・20 V、max ●FCI-InGaAs-120：120 μm・0.9 A/W・0.95 A/W・0.05 nA、Vr=5.0V・2 pF、Vr=5.0V・0.3 ns、Vr=5.0V・20 V、max ●FCI-InGaAs-300：300 μm・0.9 A/W・0.95 A/W・0.3 nA、Vr=5.0V・10 pF、Vr=5.0V・1.5 ns、Vr=5.0V・15 V、max
VCSEL光通信用に最適なGaAs PIN-フォトダイオード(TO-46 Can／ROSA対応)
■最大25Gbpsまで対応 ■SC／LCレセプタクル対応ROSA or TO46-CANパッケージでの提供が可能 ■ボールレンズ or ドームレンズ付き／TIA付き
自動光出力調整(APC)回路を従来のTO-CANパッケージに内臓！省スペース化、コスト低減に寄与します。
レーザーとともに常に進化し続ける、彩世社が取扱う 「APCレーザーダイオード（TM）」のご紹介です。 【特徴】 ■内臓したAPC回路はARIMA OPTOELECTRONICS社独自開発のASIC ■APC内臓により、静電耐力が向上し お客様の歩留改善、及び、外付基板も不要となり 省スペース化、コスト低減に寄与 ■標準5 6mmパッケージと超小型3.3mmパッケージのラインナップをご用意 その他機能や詳細についてはお問合わせいただくか、カタログをご覧下さい。
高性能ダイオード 「チューニングバラクタ」のご紹介です。
高性能ダイオード 「チューニングバラクタ」のご紹介です。 米国Massachusetts Bay Technologies社では、高周波ディスクリートシリコン高周波半導体を設計製造しています。 エンドユーザーに対するサービスとして高い性能、品質を維持し、大学、研究所、通信をはじめとし、宇宙通信用・軍事用まで幅広いお客様に製品を供給しています。 ダイオード業界で50年培ってきた経験と実績により、他では製造できない特殊なダイオードもご提供可能です。 【特徴】 ○Storage Temperature:-65°C to +175°C ○Total capacitance is measured at 1 MHz and -4 volts on a Boonton capacitance meter. ○Standard tolerance ± 10%. 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。
20KV 500mA
Peak reverse repetitive voltage: 20KV Average current: 500mA Max foward voltage: 45V Max forward surge current: 15A Leakage current: 2.0uA Dimension: φ4.5＊15mm Trr: 100nS
35KV
High voltage fast recovery rectifier diodes 2CL2FR : Peak reverse repetitive voltage: 35KV Average current: 60mA Max foward voltage: 52V Max forward surge current: 10A Leakage current: 2.0uA Dimension: φ7.5*22mm Trr: 100nS
20KV800mA 100nS
Peak reverse repetitive voltage: 20KV Average current: 800mA Max foward voltage: 50V Max forward surge current: 20A Leakage current: 5.0uA Dimension: φ4.5*15mm Trr: 100nS
ピーク繰返し逆電圧；12KV；平均順電流： 5mA；最大サージ電流： 0.5A 寸法：φ3*12mm；
12KV 5mA fast recovery high voltage diode 2CL73 : Peak reverse repetitive voltage: 12KV Average current: 5mA Max foward voltage: 45V Max forward surge current: 0.5A Leakage current: 2.0uA Dimension: φ3*12mm Trr: 80nS-100nS
タイプ：整流ダイオード 正方向最大電圧：30V 最大回復電圧：8KV 最大正方向電流；5mA 最大回復電流：2.0uA
Specialized suppliers High Voltage Diode 2CL71A : Peak reverse repetitive voltage:8KV Average current: 5mA Max foward voltage:30V Max forward surge current:0.5A Leakage current:2.0uA Dimension:φ2.5*6.5mm Trr:80-100nS
