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半導体 Product List and Ranking from 115 Manufacturers, Suppliers and Companies

Last Updated： Aggregation Period:2025年11月05日～2025年12月02日
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半導体 Manufacturer, Suppliers and Company Rankings

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  1. オーエン株式会社 埼玉県/電子部品・半導体
  2. 株式会社ナセル 東京都/産業用電気機器
  3. インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社 東京都/電子部品・半導体
  4. 4 テックインサイツジャパン株式会社（TechInsights） 東京都/サービス業
  5. 5 株式会社Wave Technology 兵庫県/サービス業
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半導体 Product ranking

Last Updated： Aggregation Period:2025年11月05日～2025年12月02日
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  1. 【日本語技術資料】MIL-STD-461・IP規格の概説 株式会社ナセル
  2. 三安半導体(Sanan)： SiCパワー半導体製品 岡谷鋼機株式会社 名古屋本店
  3. アナログ半導体IC ミカサ商事株式会社
  4. 4 半導体・電子部品データベース/プラットフォーム『Z2Data』 株式会社KUMU Works
  5. 5 【Mitsumi：MM1856A33U】 オーエン株式会社

半導体 Product List

241～255 item / All 2265 items

Displayed results
インフィニオン最新世代SiCパワー半導体

インフィニオン最新世代SiCパワー半導体

パワーシステムにおけるエネルギー変換効率を強化。次世代型の炭化ケイ素（SiC）MOSFETトレンチ技術を採用

SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』は、次世代型のトレンチ技術をベースに 低損失化を実現したインフィニオンの最新世代となる第2世代SiC MOSFETです。 電力密度や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能数値を、 品質と信頼性のレベルを損なわずに前世代より最大20％向上。 全体的なエネルギー効率を高めており、脱炭素化に一層寄与します。 太陽光発電インバーターをはじめ、蓄電システム、電気自動車（EV）充電、 モーター駆動、産業用電源など、様々なアプリケーションで活用可能です。 【特長】 ■当社従来比で主要性能数値を最大20％向上 ■高速スイッチング能力も最大30％以上向上 ■負荷に応じて最大5～30％低い電力損失で動作 ■定格650V、1200Vの製品を多数ラインアップ ※「CoolSiC MOSFET 650V G2」と「CoolSiC MOSFET 1200V G2」の 　アプリケーションノートを“PDFダウンロード”よりご覧いただけます。 　お問い合わせもお気軽にどうぞ。

  • その他半導体

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車載オンボードチャージャー＆DC-DCアプリ向けSiC

車載オンボードチャージャー＆DC-DCアプリ向けSiC

20/0 VGSで動作！オン抵抗(Ron)・熱抵抗の低減を実現します

インフィニオンは、TO247-4パッケージのSiC 1200Vディスクリートにより、 「車載用CoolSiC MOSFET」のラインアップを拡充しました。 ケルビンソースピンを追加したことで、最高クラスのスイッチング性能、 寄生ターンオンに対する堅牢性、RDSonおよびRth(j-c)の向上を実現し、 OBCおよびDCDCアプリケーション向けの理想的な選択肢となっています。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■高いターンオン電圧 VGS(on)＝ 20 V ■0 Vターンオフ ゲート電圧 ■低いCrss/Ciss比、高いゲートソース間閾値電圧(VGS(th)) ■ゲート電荷(QGtot)を低減 ■高電圧沿面距離要求に好適 ■はんだブリッジのリスクを低減する薄型リード ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他電子部品

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Nチャネル パワーMOSFET 60 V～200 V

Nチャネル パワーMOSFET 60 V～200 V

同クラスで最も低いRDS(on)とWide SOAを備えたマーケットリーダー！

インフィニオンの「OptiMOSリニアFETファミリー」に、3つの新しいPQFN (5 x 6mm)(SuperSO8)製品と1つの新しいPQFN(3.3 x 3.3 mm)(S3O8)製品が 加わりました。 いずれの製品もきわめて低いRDS(on)、25℃および125℃での広い安全動作領域 (SOA)を実現しています。OptiMOS Linear FETは、オン抵抗とリニアモード性能 のトレードオフを解決する画期的なアプローチです。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■低RDS(on) ■高い最大パルス電流と連続パルス電流 ■小型、低背パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他電子部品

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SiC MOSFETディスクリート 1200 V/30 mΩ

SiC MOSFETディスクリート 1200 V/30 mΩ

性能と信頼性を両立させるために最適化された先端のトレンチ半導体プロセスで作られています！

TO247-4パッケージ搭載1200 V/30 mΩの当製品は、先端のトレンチ半導体 プロセスで製造されており、低ゲート電荷およびデバイス容量レベル、内部整流 ボディダイオードの逆回復損失ゼロ、低スイッチング損失、スレッショルド フリーのオン特性などの利点をもたらし、性能と信頼性を両立するよう 最適化されています。 DC-DCコンバーターまたはDC-ACインバーターなどのハードおよび共振 スイッチングトポロジー、双方向トポロジーに好適です。 「TO-247 4ピン パッケージ」は、ゲート回路の寄生ソースインダクタンス 効果を低減し、より高速なスイッチングと効率の向上を実現します。 【特長】 ■最高クラスの低スイッチング損失および導通損失 ■高閾値電圧、Vth ＞ 4V ■0 Vのターンオフゲート電圧による簡単でシンプルなゲート駆動 ■幅広いゲートソース電圧範囲 ■転流用に本格使用可能な定格の堅牢で低損失のボディダイオード ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他電子部品

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Nチャンネル パワーMOSFET 600V-温度センサー搭載

Nチャンネル パワーMOSFET 600V-温度センサー搭載

低周波かつ大電流のスイッチングアプリケーション向けに最適化！

当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET 600V-温度センサー搭載」 について、ご紹介いたします。 温度センサーを搭載した当製品は、容易な実装と共にジャンクション 温度の検出精度とロバスト性を向上。 ソリッドステートリレー、サーキットブレーカー設計、SMPSの ライン整流に好適です。 【特長】 ■高パルス電流対応 ■最適化された価格性能 ■低周波スイッチングアプリケーション向けに最適化 ■ソースの寄生インダクタンスを低減 ■シームレスな診断機能 ■大電流対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他電子部品

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Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 200V

Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 200V

インフィニオンの先進のトレンチMOSFET技術を代表する製品！

当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 200V」について、 ご紹介いたします。 高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応。本技術は、RDS(on)を 大幅に低減し、その結果、導通損失を低減します。 ゲート閾値電圧のばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されて いるため、並列接続に優れたデバイスです。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■鉛フリーめっき、RoHS対応 ■200Vでクラス最高レベルの性能 ■ソフトダイオード、低Qrr、高リニア容量の組み合わせ ■並列接続時の電流共有の改善 ■豊富なパッケージ展開 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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Nチャネル パワーMOSFET 150V

Nチャネル パワーMOSFET 150V

業界標準のSuperSO8パッケージで、4.5Vで非常に低いRDS(on)とQgが特長！

当社で取り扱う「Nチャネル パワーMOSFET 150V」について、 ご紹介いたします。 OptiMOS 5 150V同様の優れた性能に加え、わずか4.5VのVGSで動作する 性能を搭載。 小型で軽量なUSB-PD EPR充電器およびアダプタアプリケーションで 好適な熱管理を実現します。 【特長】 ■競争力のあるRDS(on)レベル ■きわめて低いスイッチング損失 ■VGS＝4.5Vに完全に最適化 ■5V供給の同期整流器(SR)に対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 120V

Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 120V

産業用認証とTj_max＝175°Cにより優れたパワーハンドリングと堅牢性を実現！

当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 120V」について、 ご紹介いたします。 ハードスイッチとソフトスイッチの両アプリケーション、また、 高スイッチング周波数および低スイッチング周波数に適しており、 ノーマルレベルとロジックレベルが利用可能。 産業用電源、ソーラーなどさまざまなアプリケーションで使用できます。 【特長】 ■スイッチング損失、導通損失において好適なバランスを実現 ■150V耐圧不要時にRDS(on)やFOMを低減 ■パッケージの幅広い選択肢 ・FR4基板およびIMS基板向け面実装 ・上面冷却 ・スルーホール ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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車載向けパワーMOSFET OptiMOS 7 40V

車載向けパワーMOSFET OptiMOS 7 40V

インフィニオンの新しい車載用MOSFETテクノロジー！

当社で取り扱う「車載向けパワーMOSFET OptiMOS 7 40V」について、 ご紹介いたします。 従来のOptiMOS 6に比べ、Ronが25％向上し、業界最小レベルのオン抵抗で 最高レベルの電力密度とエネルギー効率を提供。 当社の堅牢で定評あるパッケージラインアップで製品展開し、非常に 効率的な車載設計を実現する上面放熱パッケージにまで拡張されています。 【特長】 ■きわめて低いドレイン-ソース間オン抵抗(＝RDS(on)) ■高いアバランシェ耐量 ■高い安全動作範囲(SOA)耐性 ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ■リードレスパッケージ(Cuクリップ) ■先進の薄型ウェハーCuテクノロジー、および先進の内製300mmウェハー ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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パワー半導体 CoolSiC Generation2 650V

パワー半導体 CoolSiC Generation2 650V

部品点数の削減、システムコストパフォーマンスを最大化！きわめて高い信頼性

TOLTパッケージの『CoolSiC Generation2 650V』は、最高クラスの スイッチング性能を活かし、さらに上面放熱の様々な利点も備えている MOSFETパワー半導体です。 今回、CoolSiCおよびCoolMOSですでに利用可能なQDPAKを加えて、完全な ディスクリート上面放熱ソリューションが実装可能になったことにより、 さらに優れた放熱性を備え、システムコストの削減と簡素化、 アセンブリコストの低減を実現します。 【主な特長】 ■優れた性能指数(FOM) ■高い堅牢性と総合的な品質 ■広い駆動電圧範囲 ■ユニポーラ駆動に対応 VGS(off)＝0 ■すべての8x8FET製品とピン互換 ■.XT相互接合技術によるパッケージの改善 ■熱サイクル(TCoB)4倍向上 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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車載用 Nチャンネル パワーMOSFET 40V

車載用 Nチャンネル パワーMOSFET 40V

将来の車載設計向けの高い電力効率と0.39mΩの超低Ronを実現！

『車載用 Nチャンネル パワーMOSFET 40V』は、インフィニオンの 新しい車載用MOSFETハイパワーMOSFETパッケージファミリー製品です。 また、従来のOptiMOS 6に比べて、Ronが25％向上。OptiMOS 7は、 業界最小クラスのオン抵抗で、パッケージ抵抗がきわめて低い高効率 sTOLL 7×8mm2リードレスパッケージで、最高クラスの電力密度と エネルギー効率を実現。 また、広い安全動作領域(SOA)で、リードレスパッケージ(銅クリップ) の 堅牢な車載用パッケージ設計です。 【主な特長】 ■7×8mm2というパッケージサイズに、0.39mΩのきわめて 　低いドレイン-ソース間オン抵抗 (RDS(on)) ■最大電流耐量280A ■高いアバランシェ耐量 ■広い安全動作領域(SOA) ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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産機＆民生用 Nチャンネル パワーMOSFET 40V

産機＆民生用 Nチャンネル パワーMOSFET 40V

電力密度が高いため、コンパクトなボードで高出力設計が可能です！

『産機＆民生用 Nチャンネル パワーMOSFET 40V』には、当社の MOSFET技術が、超低寄生のコンパクトパッケージと組み合わされています。 これにより、さまざまな電源パッケージにおいて、業界で最小クラスの RDS(on)および最大クラスの電力密度を実現し、スイッチング/導通損失 および電流耐量を大幅に改善。 また、低パッケージ抵抗で高い電流処理能力を備えたMOSFETが求められる バッテリー駆動、バッテリー保護、およびバッテリーフォーメーションの アプリケーションの幅広い分野に対応し、低/高スイッチング周波数共に好適です。 【主な特長】 ■コンパクトなパッケージサイズ(8×6mm)で高い電流耐量を実現 ■業界でも低いRDS(on)とFOM ■超低パッケージ寄生容量(抵抗およびインダクタンス)の 　リードレスパッケージ ■PQFN 5×6とフットプリント互換 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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産業＆車載用 SiC MOSFETパワーディスクリート 750V

産業＆車載用 SiC MOSFETパワーディスクリート 750V

使いやすさ、スイッチング効率、優れた熱性能を備えた、バランスの取れた技術です

『産業＆車載用 SiC MOSFETパワーディスクリート 750V』は、最高 クラスのシステム性能と信頼性を実現する堅牢性の高いSiC MOSFETです。 性能、信頼性、堅牢性、ゲート駆動の柔軟性における優位性を発揮し、 最高クラスの効率と電力密度を実現する簡素化されたコスト効率の高い システム設計を実現。 革新的な上面放熱パッケージは、当製品の強みをさらに強化し、 高密度化、最適化された電源ループ設計、システムおよびアセンブリ コストの削減を実現します。 【主な特長】 ■きわめて堅牢な750 Vテクノロジー ■最高クラスのRDS(on) x Qfr ■優れたRon x QossおよびRon x QG ■低Crss/Cissと高Vgsthを両立 ■100％アバランシェ耐量出荷テスト対応 ■最高クラスの熱特性を実現する.XTダイ接合技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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パワー半導体　総合カタログ

パワー半導体　総合カタログ

"非絶縁型"や"高速タイプ"などのモジュール製品を多数掲載した総合カタログです

当カタログは、 パワー半導体及びスタックアッセンブリの製造・販売を 行っている日本インターナショナルPS株式会社の総合カタログです。 「モジュール製品」では"圧接構造"や"非絶縁型"、"高速タイプ"などを ラインアップしております。また、「モジュール製品」や「ハイパワー製品」 の外形図も掲載。 さらに、早見表もございますので製品の選定にご活用ください。 【掲載内容(抜粋)】 ■品名の付け方 ■記号と用語 ■定格・特性表 ■外形図 ■アッセンブリー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • ダイオード
  • その他半導体

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半導体、セラミックス、学術研究や開発、原子分解能での観察などに！

半導体、セラミックス、学術研究や開発、原子分解能での観察などに！

アズサイエンスおすすめ

分野にお使いいただける、日本電子株式会社商品を3つご紹介いたします。 〇JSM-IT200 InTouchScope 走査電子顕微鏡 　シンプルに、使いやすくしたコストパフォーマンス重視の製品です。初心者に優しい試料交換ナビで、試料セットから視野探し、SEM画像の観察開始まで容易に行うことができます。 〇JEM-ARM200F NEOARM 原子分解能分析電子顕微鏡 　日本電子独自の技術で開発された冷陰極電界放出形電子銃（Cold-FEG）と高次の収差まで補正可能な新型球面収差補正装置（ASCOR）を標準搭載し、200 kVの高加速電圧だけでなく30 kVの低加速電圧においても原子分解能での観察を実現しました。高速かつ正確な収差補正を自動的に行うシステムも搭載しております。 〇JEM-F200 多機能電子顕微鏡 空間分解能と分析性能を向上させるとともに、多目的な使い方における操作性を考慮した新しい操作システムを搭載し、電子顕微鏡の初心者から熟練者まで思わず使いたくなるようなスマートな外観を備え、省エネルギー化とCO2削減をコンセプトとして開発された電界放出形透過電子顕微鏡です。

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  • 多機能.png
  • 電子顕微鏡

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