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ウェハサイズφ6inchまで対応 CMP用の特別設計
CMP受託加工サービスを行う会社として2003年に設立して以来、多数のCMP加工実績を有するD-processより、研究開発用途に最適な卓上CMP装置を販売・提供いたします。 本ページからは、φ4インチまで対応のφ300mm定盤仕様「Melissa300D」のカタログがダウンロード可能です。 φ6インチまで対応のφ400mm定盤仕様については別途、弊社担当者より詳細情報を提供可能です。 ぜひお問い合わせください。
φ300ウェハに対応したマニュアル式のCMP装置です。MEMS・TSV・薄加工を行うのに最適です。
シリコンウエハーの膜加工（CMP）や薄板加工を行うのに最適です。 膜種はLow-K膜用対応装置や導電体用装置、絶縁膜用装置があります。 ウエハー材料の薄板加工は別オプション装置により、30μm・50μmまで薄くしたWaferを単体で剥離する事も可能です。
基板の手配、マスク設計からの一貫生産の対応が可能！グローバルネット株式会社のパターンウエハサービス等の受託加工サービスのご紹介！
グローバルネット株式会社では、GNCの加工ファンドリーをはじめ、 GNCパターンウエハサービス等を提供しています。 シリコンウエハ、ガラスなどを主に、お客様のニーズに応じた 加工サービスを提供。 基板の手配、マスク設計からの一貫生産の対応が可能です。 【事業概要】 ■GNCの加工ファンドリー ・成膜ファンドリー ・プロセス評価 ■GNCパターンウエハサービス ・GNC微細パターンウエハ ・GNC先端CMP評価用パターンウエハ ・GNC MEMS・シリコン特殊加工サービス ■GNC 2.1D/2.5D/3Dソリューション ・バンプウエハ・再配線加工／FOWLPプロセスサービス ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
COF(摩擦係数)やパッド表面温度、研磨液の温度、装置内の室温などをモニターできます。
【Tribo】 ・400mm径のポリッシングプレートに対応 ・100mm/4インチのポリッシングヘッド x2軸 ・スラリーポンプ2台、酸性スラリーにも対応 ・業界標準のIn-Situダイヤモンドコンディショニング対応 ・装置に内蔵されたタッチパネルPCでコントロール 【Orbis】 ・600mm径のポリッシングプレートに対応 ・200mm/8インチのポリッシングヘッド x2軸 ・スラリーポンプ2台、酸性スラリーにも対応 ※2種類のスラリーを搭載 ・業界標準のIn-Situダイヤモンドコンディショニング対応 ・装置に内蔵されたタッチパネルPCでコントロール
CMPプロセス開発・試作・請負受託加工！確かな技術力や経験で、お客様のニーズにお応え
当社のCMP／ダイシング事業「MAT課」についてご紹介します。 「平坦化」「平滑化」「薄片(薄膜)化」、また、半導体分野に限らず、 SiCパワーデバイス・SOI・マイクロマシン(MEMS)・光学系デバイス、 LEDサファイア・有機ELなど。 先端テクノロジーで使われる「研削」「Lapping」「Polishing」「CMP」 「洗浄」等、確かな技術力や経験で、お客様のニーズにお応えします。 【特長】 ■CMPプロセス開発・試作・請負加工 ■「平坦化」「平滑化」「薄片(薄膜)化」 ■半導体分野に限らない ■確かな技術力や経験で、お客様のニーズにお応え ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
卓上型から300mmウエハー対応までCMP装置をラインナップ！Dry-in/Dry-out等、カスタマイズ・新規設計が可能です！
研究開発に適したコンパクトなモデルから300mmウエハーに対応した モデルまでラインナップを取り揃えております。お客様のご希望に沿った 仕様変更 ・オーダーメイド、Dry-in / Dry-outが可能なCMP自動装置も ご提案いたします。デモ機もございますので、立ち合いの元デモテスト も対応可能です。 【下記のようなご要望にもお応えします】 ■薬液対応（酸性・アルカリ性の様々なスラリーに対応可能） ■研磨剤の供給系統対応 ■センサーを入れて振動を計測したい ■通常よりも高荷重にしたい ■装置内の温度・湿度を図りたい ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
両面研削機や研磨機、CMP装置のことならお任せください。
研削、研磨、切断、各分野のお客様より高い評価をいただき、 フアイングラインヂング、ラッピング・ポリッシング関連装置、半導体関連、ダイシングマシンと裏面研削機なとをの技術開発を行い、確かな信頼のもとで製品を提供してまいりました。
ドライイン/ドライアウトが可能！シリコンウェーハの鏡面仕上げ用装置
『MGP-808XJ』は、ラップマスター SFT製「LGP-808XJ」の後継機種の 全自動CMP装置です。 当社開発の新型Headを採用し、ウェーハ表面のGBIR、SFQRの向上を実現。 搬送はエッジクランプ又はエッジコンタクト方式です。 また、洗浄機との結合によりドライイン/ドライアウトが可能です。 【特長】 ■ラップマスター SFT製「LGP-808XJ」の後継機種 ■ウェーハ表面のGBIR、SFQRの向上を実現 ■8研磨Head、3ポリッシングプレートを有した高スループット ■搬送系にはすべてエッジクランプ又はエッジコンタクト方式を採用 ■洗浄機との結合によりドライイン/ドライアウトが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
