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厚膜形成用プラズマCVD装置。高速かつ低ストレス（特許出願中）
● 独自のセルフバイアス法の採用により高速（3000〜5000Å/min）かつ低ストレスの成膜が可能。（特許出願中） ● 室温〜350℃程度の低温成膜が可能。また、プラスチック上への成膜が可能。 ● 反応室に独自の工夫を施しているためパーティクルの発生を抑制。 ● 液体ソースのTEOSを用いるLS-CVD法によりステップカバレージと埋め込み効果に優れた成膜が可能。 ● Ge、P、Bの液体ソースを用いて屈折率の任意の制御が可能。標準1系列に加え、オプションでさらに2系列のドーパント導入系の追加が可能。
小型でスペース効率の優れた装置！基板はφ4インチ対応で、加熱機構・T/S可変機構付き！
当製品は、TEOSをはじめ、液体原料ソースを対象とした シリンダーキャビネット付きプラズマCVD装置です。 液体ソースに対応したベーカブルMFC、各種ベーキング機構を備えており、 内部異常放電防止対策や安定プラズマ生成目的の独自のプラズマ電極を 設計開発。 上蓋開閉により基板交換、内部メンテナンスでき、小型でスペース効率の 優れた装置です。 【特長】 ■シリンダーキャビネット付き ■液体ソースに対応したベーカブルMFC、各種ベーキング機構搭載 ■独自のプラズマ電極を設計 ■上蓋開閉により基板交換、内部メンテナンス可能 ■小型でスペース効率が優れている ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
装置サイズを可能な限りコンパクト化！安定した成膜処理と低パーティクルを実現
『A200V』は、少量多品種から大量生産までカバーするφ150・φ200mm ウェーハ対応の枚葉式常圧CVD装置です。 フェイスダウン式成膜方法の採用により優れた膜厚均一性、パーティクル 制御、埋め込み性能を発揮し、SiH4をベースとしたシリコン酸化膜を成膜。 また、TEOS-O3、SiH4-O3もオプション対応が可能な装置です。 【特長】 ■フェイスダウンポジション ■コンパクトな装置デザイン・構成 ■メンテナンス性と高い生産性の両立 ■優れた膜厚均一性と埋め込み性 ■オペレーターが加熱部分に直接接触しないよう安全性を確保 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パワーデバイス、LED、MEMS等の量産で多数の実績がある装置です。
膜質の制御範囲が非常に広く、様々なお客様の求める膜質に対応します。また、化合物ウエハや特殊ウエハなど、従来の装置では問題があった安定した自動搬送を実現し、歩留まり向上に貢献します。当社では、お客様のご要望を出来るだけ装置に反映するため、装置毎のカスタマイズを積極的に行います。社内にデモ機を常設していますので、お気軽にご相談ください。
