IGBTのメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
イプロスは、 製造業 ・ BtoB における情報を集めた国内最大級の技術データベースサイトです。

IGBT - メーカー・企業13社の製品一覧とランキング

更新日： 集計期間:2025年10月22日～2025年11月18日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。

IGBTのメーカー・企業ランキング

更新日： 集計期間:2025年10月22日～2025年11月18日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。

  1. インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社 東京都/電子部品・半導体
  2. ミカサ商事株式会社 大阪府/商社・卸売り
  3. 旭テック株式会社 大阪本社/東京支店/名古屋営業所 大阪府/電子部品・半導体
  4. 4 アールエスコンポーネンツ株式会社 神奈川県/商社・卸売り
  5. 5 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST 東京都/試験・分析・測定
企業ランキングへ

IGBTの製品ランキング

更新日： 集計期間:2025年10月22日～2025年11月18日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。

  1. パワー半導体 FET IGBT SiC ミカサ商事株式会社
  2. IGBT インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社
  3. 逆導通IGBT『600 V RC-D2』 インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社
  4. EasyPACK 2B IGBTモジュール インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社
  5. 4 【ディスクリート】IGBT　ラインアップ一覧 アールエスコンポーネンツ株式会社

IGBTの製品一覧

1～15 件を表示 ／ 全 37 件

表示件数
【ディスクリート】IGBT　ラインアップ一覧

【ディスクリート】IGBT　ラインアップ一覧

バイポーラデバイスの高耐圧・低オン抵抗！半導体に電圧を印加する3端子デバイス

『IGBT』は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタとも呼ばれ、 入力部がMOSFET構造、出力部がバイポーラー構造のトランジスタです。 MOSFETとバイポーラトランジスタの長所を両立させたような特性で、 MOSFETと同様に高速スイッチングが可能。 P-N-P-Nの4層からなる半導体素子により構成されて、数kVまでの 電力制御用途によく使われています。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Toshiba Nチャンネル IGBT GT60PR21,STA1F(S ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM195GB066D ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM100GB12T4 ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM145GB066D ■IXYS Nチャンネル IGBT IXGH32N170 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 13-2.PNG
  • 13-3.PNG
  • 13-4.PNG
  • 13-5.PNG
  • 13-6.PNG
  • 13-7.PNG
  • 13-8.PNG
  • 13-9.PNG
  • 13-10.PNG
  • トランジスタ

ブックマークに追加いたしました

ブックマーク一覧

ブックマークを削除いたしました

ブックマーク一覧

これ以上ブックマークできません

会員登録すると、ブックマークできる件数が増えて、ラベルをつけて整理することもできます

無料会員登録
IXYS半導体：IGBT、MOSFET、FRED、SCR、DIODE、絶縁モジュール、ドライバー、DCB基板、高電圧DIODE

IXYS半導体：IGBT、MOSFET、FRED、SCR、DIODE、絶縁モジュール、ドライバー、DCB基板、高電圧DIODE

高速スイッチング素子、高速リカバリー整流素子

1.スイッチング速度が+1秒台 2.整流速度が+1秒台 3.2500VまでのIGBT 4.絶縁放熱型パッケージ 5.45MHz台の高速ドライバー

  • その他半導体

ブックマークに追加いたしました

ブックマーク一覧

ブックマークを削除いたしました

ブックマーク一覧

これ以上ブックマークできません

会員登録すると、ブックマークできる件数が増えて、ラベルをつけて整理することもできます

無料会員登録
DYNEX（ダイネックス）社　6500V/400AのIGBTモジュール

DYNEX（ダイネックス）社　6500V/400AのIGBTモジュール

高電圧モジュール

DYNEX社のIGBTモジュールは、大型電流では3600A対応のものまであり、IGBTインバーターのフリーホイル・ダイオードとして使用されるファースト・リカバリ・ダイオード・モジュールも20機種取り揃えている。生産ラインの特長としては単体スイッチのほか、チョッパ、2個入り、半ブリッジ、双方向性（マトリックス型）など多種にわたる上に、機能性でも標準型、トレンチゲート型（低ロス）、ソフトパンチスルー型（高信頼性）の各種を調えている。

  • その他半導体

ブックマークに追加いたしました

ブックマーク一覧

ブックマークを削除いたしました

ブックマーク一覧

これ以上ブックマークできません

会員登録すると、ブックマークできる件数が増えて、ラベルをつけて整理することもできます

無料会員登録
【事業紹介】イギリス・ダイネックス社製パワー半導体の販売

【事業紹介】イギリス・ダイネックス社製パワー半導体の販売

イギリスのパワー半導体メーカー・ダイネックス社(Dynex Semiconductor Ltd)をご紹介

当社では、『イギリス・ダイネックス社製パワー半導体の販売』を行っております。 ダイネックス社は、イギリス・リンカーン市に本社をおく、 パワー半導体メーカーです。 チップ製造から組立、検査と全て一貫生産。 バイポーラ製品（ダイオード、FRD、サイリスタ、GTO）をはじめ、IGBTや パワー半導体スタックを扱っております。 【主な製品】 ■IGBTモジュール ■FRDモジュール ■一般整流平型サイリスタ ■GTOサイリスタ（平型） ■シンメトリック バイパス サイリスタ（平型） サイリスタ、ダイオード、GTOなどのバイポーラ製品では、電流で11,000A、電圧で8,500Vまでのハイパワーをカバーする製品ランナップを揃えています。 IGBT、FRDモジュールは、シリコンウェハからパッケージングまで全て社内一貫生産で、6500Vまでの高耐圧クラスをラインナップしています。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体
  • ダイオード

ブックマークに追加いたしました

ブックマーク一覧

ブックマークを削除いたしました

ブックマーク一覧

これ以上ブックマークできません

会員登録すると、ブックマークできる件数が増えて、ラベルをつけて整理することもできます

無料会員登録
IGBTモジュール『GSA75AA120』

IGBTモジュール『GSA75AA120』

絶縁耐圧2500V！高速性能に特化したIGBTを採用したモジュール

『GSA75AA120』は、UL規格対応のIGBTモジュールです。 小型、高信頼性のSOT-227標準パッケージ。高速性能に特化したIGBTを 採用し、IGBTに合わせて好適設計した高速ダイオードを搭載しております。 また、ヒートシンクへの直接取り付けが可能です。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■優れた高速性能(40kHz～70kHz) ■小型・高信頼性パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他半導体

ブックマークに追加いたしました

ブックマーク一覧

ブックマークを削除いたしました

ブックマーク一覧

これ以上ブックマークできません

会員登録すると、ブックマークできる件数が増えて、ラベルをつけて整理することもできます

無料会員登録
IGBTモジュール『GSA100AA60』

IGBTモジュール『GSA100AA60』

小型、高信頼性のSOT-227標準パッケージ！ヒートシンクへの直接取り付けが可能

当社で取り扱う、IGBTモジュール『GSA100AA60』をご紹介いたします。 当社独自の専用IGBTチップの採用により低Vce(sat)を実現(1.21V Typ 125℃)。 無停電電源装置(UPS)などのバイパスACスイッチや表面処理用正逆反転パルス 電源などへの用途に好適です。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■低スイッチング周波数領域での低損失を追求 ■小型・高信頼性パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他半導体

ブックマークに追加いたしました

ブックマーク一覧

ブックマークを削除いたしました

ブックマーク一覧

これ以上ブックマークできません

会員登録すると、ブックマークできる件数が増えて、ラベルをつけて整理することもできます

無料会員登録
逆並列ダイオード搭載 1350V 保護IGBT Fシリーズ

逆並列ダイオード搭載 1350V 保護IGBT Fシリーズ

IH設計に必要な既存の電流検出レジスタとともに、独自の電流検出回路を内蔵

Infineon 1350V 保護IGBT Fシリーズ 詳細： 保護IGBT Fシリーズは、IH調理アプリケーション向けに6ピンの TO-247パッケージにRC-H5テクノロジー 1350V, 20A IGBTと 独自の保護ゲートドライバICを組み合わせた製品です。 利点： ■ しきい値を超えてオンする事でボードの複雑さとコストを低減 ■ ボードの複雑さを軽減し、ソリューション全体のコストを削減 ■ ボード上の複雑さとデザインインの手間を軽減 ■ シンプルなBOMとトータルショリューション用コストの削減

  • トランジスタ

ブックマークに追加いたしました

ブックマーク一覧

ブックマークを削除いたしました

ブックマーク一覧

これ以上ブックマークできません

会員登録すると、ブックマークできる件数が増えて、ラベルをつけて整理することもできます

無料会員登録
IGBTモジュール GSA75AA120

IGBTモジュール GSA75AA120

GSA75AA120 IGBTモジュール

・小型 高信頼性パッケージ 小型高信頼性のSOT-227標準パッケージ・ヒートシンクへの直接取り付けが可能・絶縁耐圧2500V・RoHS対応 ・優れた高速性能(40~70khz) 高速性能に特化したIGBTチップを採用しIGBTに合わせて最適設計した高速ダイオードを搭載

  • その他電子部品

ブックマークに追加いたしました

ブックマーク一覧

ブックマークを削除いたしました

ブックマーク一覧

これ以上ブックマークできません

会員登録すると、ブックマークできる件数が増えて、ラベルをつけて整理することもできます

無料会員登録
AIKQ120N75CP2/AIKQ200N75CP2

AIKQ120N75CP2/AIKQ200N75CP2

堅牢な設計！スイッチング損失低減と冷却設計の効率化に貢献する高速動作

『AIKQ120N75CP2/AIKQ200N75CP2』は、xEV トラクション インバーター用に 設計されたインフィニオン車載用750V EDT2 ディスクリートIGBT、 To247PLUSパッケージです。 並列化により、異なる電力クラスのインバーターを同一製品で対応でき、 電力の拡張性とコストの最適化が可能。 470Vdcシステム対応のベンチマーク品質とスイッチング性能があります。 【特長】 ■コレクターエミッター間耐圧750V ■スムーズなスイッチング特性 ■きわめて低いVCE(sat)、IC(nom)=200Aで1.30V ■高い短絡耐量 ■きわめて緻密なパラメータ分布 ■低ゲート電荷QG ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他電子部品

ブックマークに追加いたしました

ブックマーク一覧

ブックマークを削除いたしました

ブックマーク一覧

これ以上ブックマークできません

会員登録すると、ブックマークできる件数が増えて、ラベルをつけて整理することもできます

無料会員登録
CIPOS(TM)Micro IPM IM241シリーズ

CIPOS(TM)Micro IPM IM241シリーズ

低損失および低EMI動作を実現する高速/低速バージョン！NTCによる温度モニター

『CIPOS(TM)Micro IPM IM241シリーズ』は、先端のRCD2 IGBT技術を使用した製品です。 小型パッケージで最大電流6Aを実現し、エアコンの室内機/室外機、ファン、ポンプ、 食器洗浄機や洗濯機の排水ポンプなど、小電力アプリケーションに好適な性能。 「CIPOS(TM)マイクロパッケージ」は、一般的な製品に比べ30％小型で、 プリント基板の省スペース化に貢献するとともに、パッケージ上の ネジ穴により放熱性を向上させています。 【主な特長】 ■モータドライブに適した逆導通IGBT Gen2(RCD2) ■正確な過電流シャットダウン(±5％) ■フォールト出力と外部で設定可能なフォールトクリア ■シュートスルー保護機能付き高度な入力フィルタ ■ワンシングルおよびスリーシャント電流検出用オープンエミッタ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体

ブックマークに追加いたしました

ブックマーク一覧

ブックマークを削除いたしました

ブックマーク一覧

これ以上ブックマークできません

会員登録すると、ブックマークできる件数が増えて、ラベルをつけて整理することもできます

無料会員登録
IGBTモジュール「F3L600R10W4S7F_C22」

IGBTモジュール「F3L600R10W4S7F_C22」

TRENCHSTOP IGBT7および1200V CoolSiC ショットキーダイオードを搭載！

当社で取り扱っている「F3L600R10W4S7F_C22」についてご紹介いたします。 内部のANPCトポロジーは、DC1500Vのソーラーストリングインバーターに 好適で、1枚のモジュール構成で最大350kWを実現します。 他のEasyシリーズと同じ高さ12mmのパッケージのため、お客様の設計に 合わせたアップグレードが容易に行えます。また、ケーブルなどの部品が 少なくて済むため、システムコストを削減することができます。 【特長】 ■新しいEasy4Bパッケージ ■ANPCトポロジー ■950V TRENCHSTOP IGBT7と1200V CoolSiC ショットキーダイオード ■PressFITピン ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他電子部品

ブックマークに追加いたしました

ブックマーク一覧

ブックマークを削除いたしました

ブックマーク一覧

これ以上ブックマークできません

会員登録すると、ブックマークできる件数が増えて、ラベルをつけて整理することもできます

無料会員登録
CIPOS Mini IM523シリーズ

CIPOS Mini IM523シリーズ

低中出力プラットフォームに好適な費用対効果の高いソリューション！

当社の新しい600V TRENCHSTOP RC-Drive 2とC5SOIゲートドライバーを 組み込んだ「CIPOS Mini IM523シリーズ」は、低中電力アプリケーション向けに 優れた電力損失と熱性能の両方を達成可能です。 当製品は、600V、6A～17Aの三相インバータ向けのソリューションで、ファン、 ポンプ、空調、MHA、産業用ドライブなど、さまざまな用途に適しています。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■600V TRENCHSTOP RCD2 IGBT技術を使用 ■6Aから17Aまで、さまざまな電流定格をご用意 ■SOI技術による新しいゲートドライバーIC ■DIP 36 x 21パッケージをベースにしたオープンエミッタの 　3相インバータ構成 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他電子部品

ブックマークに追加いたしました

ブックマーク一覧

ブックマークを削除いたしました

ブックマーク一覧

これ以上ブックマークできません

会員登録すると、ブックマークできる件数が増えて、ラベルをつけて整理することもできます

無料会員登録
1100V/30A パワーIGBT

1100V/30A パワーIGBT

モノリシックに集積されたTO-247パッケージ！高いシステム信頼性

『1100V/30A パワーIGBT』は、シングルエンド共振トポロジーを使用する 誘導加熱アプリケーションの厳しい要件を満たすよう設計されています。 FE能力が向上し、R3世代の置き換えに適している製品。同製品クラスで 優れた導通損失とスイッチング損失がございます。 ソフトな整流向けに設計された低順方向電圧の強力な モノリシックボディダイオードです。 【特長】 ■ばらつきが非常に小さいパラメータ分布 ■高い堅牢性と安定した温度特性 ■非常に低いVCEsat ■VCEsatの正の温度係数により、容易にパラレルスイッチングが可能 ■低EMIノイズ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他電子部品

ブックマークに追加いたしました

ブックマーク一覧

ブックマークを削除いたしました

ブックマーク一覧

これ以上ブックマークできません

会員登録すると、ブックマークできる件数が増えて、ラベルをつけて整理することもできます

無料会員登録
デュアルIGBTモジュール 1200V/1600A

デュアルIGBTモジュール 1200V/1600A

高電力密度製品のラインアップ拡張！クラス最高レベルの低い導通損失

当社で取り扱う「デュアルIGBTモジュール 1200V/1600A」について、 ご紹介いたします。 TRENCHSTOP IGBT7技術を搭載したドライブおよびCAVアプリケーションが ターゲット。 PrimePACK2 1600Aは、同一パッケージで電流出力が77％向上し、 PrimePACK3よりもフレームサイズを縮小できます。 【特長】 ■先進TRENCHSTOP IGBT7チップ技術 ■スイッチング周波数1kHz～2.5kHzでクラス最高レベル ■パッケージ絶縁VISOL 4kV ■高い耐湿性と耐硫化水素(H2S) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他電子部品

ブックマークに追加いたしました

ブックマーク一覧

ブックマークを削除いたしました

ブックマーク一覧

これ以上ブックマークできません

会員登録すると、ブックマークできる件数が増えて、ラベルをつけて整理することもできます

無料会員登録
【分析事例】低温顕微PL分析によるSi系IGBTチップ断面の評価

【分析事例】低温顕微PL分析によるSi系IGBTチップ断面の評価

断面方向からライフタイムキラーの影響を確認することが可能です

IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)はパワー半導体モジュールとして、家電用品から産業機器まで様々な製品に使用されています。 IGBTは特性改善のためにライフタイム制御が行われていますが、この制御はドリフト層に欠陥（ライフタイムキラー）を作成することによって行われています。断面からの低温顕微PL分析を行うことによって、ライフタイムキラーに関する知見を得ることが可能です。

  • 受託解析

ブックマークに追加いたしました

ブックマーク一覧

ブックマークを削除いたしました

ブックマーク一覧

これ以上ブックマークできません

会員登録すると、ブックマークできる件数が増えて、ラベルをつけて整理することもできます

無料会員登録

IGBTに関連する検索キーワード

COPYRIGHT © 2001-2025 IPROS CORPORATION ALL RIGHTS RESERVED.