更新日： 集計期間:2025年10月22日～2025年11月18日
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小型、高信頼性のSOT-227標準パッケージ！ヒートシンクへの直接取り付けが可能
当社で取り扱う、IGBTモジュール『GSA100AA60』をご紹介いたします。 当社独自の専用IGBTチップの採用により低Vce(sat)を実現(1.21V Typ 125℃)。 無停電電源装置(UPS)などのバイパスACスイッチや表面処理用正逆反転パルス 電源などへの用途に好適です。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■低スイッチング周波数領域での低損失を追求 ■小型・高信頼性パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
高電力密度製品のラインアップ拡張！クラス最高レベルの低い導通損失
当社で取り扱う「デュアルIGBTモジュール 1200V/1600A」について、 ご紹介いたします。 TRENCHSTOP IGBT7技術を搭載したドライブおよびCAVアプリケーションが ターゲット。 PrimePACK2 1600Aは、同一パッケージで電流出力が77％向上し、 PrimePACK3よりもフレームサイズを縮小できます。 【特長】 ■先進TRENCHSTOP IGBT7チップ技術 ■スイッチング周波数1kHz～2.5kHzでクラス最高レベル ■パッケージ絶縁VISOL 4kV ■高い耐湿性と耐硫化水素(H2S) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
高出力アプリケーション向けの新しく柔軟なIGBTプラットフォームです。
Infineon Technologies社の『XHP 3』は、高い信頼性と高電力密度を実現する拡張性の高い設計が可能なモジュールです。 トラクション(電鉄)、CAV、海上輸送、中電圧駆動機器など、要件が厳しい アプリケーションに対して優れたソリューションを提供します。 現在 2つのモデルがあり、それぞれ同じサイズのため、好適な電力変換 コンセプトを組み込むために異なる定格電流や定格電圧を採用しても、 製品設計者は均一なソリューションを構築することができます。 【特長】 ■優れたシステム拡張性 ■シンプルな機械的設計によりデザインインのプロセスを加速 ■損失を低減したクリーンなスイッチング動作 ■絶縁（10kV）に対する要求が高い3レベルアプリケーションに対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
低、中、高速スイッチングのアプリケーションに最適化された新しいGen5IGBT
『650V XPT Gen5ディスクリートIGBT』は、独自のXPT薄ウェハ技術と新しい 第5世代トレンチIGBTプロセスを使用して開発された製品です。 熱抵抗が低く、エネルギーの損失が少なく、高速スイッチングが可能で、 テール電流が低く、高い電流密度を持っています。 また、ゲートチャージも低く、ゲート駆動要件を低減するのに役立ちます。 【メリット】 ■各アプリケーションのスイッチング周波数要件に対応するために、 A4、B4およびC4の最適化されたスイッチングクラスを提供 ■ゲート電荷量Qgの減少により、ゲートドライバ要件を低減 ■正のVCE(SAT)温度係数により並列使用が容易 ■TC＝110℃において最大220Aのコレクタ電流能力を持つ高い電力密度 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
鉄抵抗RthJCの低減は、熱設計の簡素化ができます
『1200V XPT Gen4トレンチディスクリートIGBT』は、低、中、高速スイッチングの アプリケーションに最適化された新しいGen4IGBTです。 XPT薄型ウェハ技術と第4世代トレンチIGBTプロセスを搭載したこれらの 1200Vデバイスは、ゲート駆動要件と導通損失の低減に貢献します。 また、低い熱抵抗、低損失と高電流密度が特長です。 さらに、コレクターエミッタ電圧の正の温度係数により、複数のデバイスを 並列に使用することができます。 【メリット】 ■各アプリケーションのスイッチング周波数要件に対応するために、 A4、B4およびC4の最適化されたスイッチングクラスを提供 ■ゲート電荷量Qgの減少により、ゲートドライバ要件を低減 ■正のVCE(SAT)温度係数により並列使用が容易 ■TC＝110℃において最大140Aのコレクタ電流能力を持つ高い電力密度 ■鉄抵抗RthJCの低減により、熱設計の簡略化が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
