【BOURNS】業界トップクラス高パワー効率・低スイッチング損失
【高電圧、大電流のアプリケーションに最適】現状リードタイム24週【IGBT】
BOURNSは新たにMOS構造のゲート入力と、 出力スイッチとして機能するバイポーラ・パワー・トランジスタを 組み合わせたIGBTをリリースしました。 TGFS 技術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、 スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。 サンプル依頼は正規代理店のセイワまで、お気軽にお問合せください。
IGBT(スイッチング) - メーカー・企業と製品の一覧
更新日： 集計期間:2025年07月23日～2025年08月19日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
IGBTの製品一覧
1～15 件を表示 ／ 全 20 件
表示件数
TRENCHSTOP 5 WR6ファミリー
低損失、低スイッチング損失を実現！より信頼性の高いシステム設計が可能になりました
TO-247-3-HCCパッケージに搭載された『TRENCHSTOP 5 WR6ファミリー』は、 パッケージの汚染に対する信頼性が向上しています。 当製品のディスクリートデバイスは、住宅用、商業用エアコンの 力率改善（PFC）、溶接アプリケーションに好適。 低損失、低スイッチング損失（Esw）を実現し、沿面距離と空間距離を 拡大したことで、より信頼性の高いシステム設計が可能になりました。 【特長】 ■25℃で1.45Vの低いVCESAT ■ダイオード内蔵のモノリシックIGBT ■低いスイッチング損失Esw ■長い沿面距離と空間距離のパッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- 価格：応相談
650V XPT Gen5ディスクリートIGBT
低、中、高速スイッチングのアプリケーションに最適化された新しいGen5IGBT
『650V XPT Gen5ディスクリートIGBT』は、独自のXPT薄ウェハ技術と新しい 第5世代トレンチIGBTプロセスを使用して開発された製品です。 熱抵抗が低く、エネルギーの損失が少なく、高速スイッチングが可能で、 テール電流が低く、高い電流密度を持っています。 また、ゲートチャージも低く、ゲート駆動要件を低減するのに役立ちます。 【メリット】 ■各アプリケーションのスイッチング周波数要件に対応するために、 A4、B4およびC4の最適化されたスイッチングクラスを提供 ■ゲート電荷量Qgの減少により、ゲートドライバ要件を低減 ■正のVCE(SAT)温度係数により並列使用が容易 ■TC＝110℃において最大220Aのコレクタ電流能力を持つ高い電力密度 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
- 企業：Littelfuse ジャパン合同会社
- 価格：応相談
1100V/30A パワーIGBT
モノリシックに集積されたTO-247パッケージ！高いシステム信頼性
『1100V/30A パワーIGBT』は、シングルエンド共振トポロジーを使用する 誘導加熱アプリケーションの厳しい要件を満たすよう設計されています。 FE能力が向上し、R3世代の置き換えに適している製品。同製品クラスで 優れた導通損失とスイッチング損失がございます。 ソフトな整流向けに設計された低順方向電圧の強力な モノリシックボディダイオードです。 【特長】 ■ばらつきが非常に小さいパラメータ分布 ■高い堅牢性と安定した温度特性 ■非常に低いVCEsat ■VCEsatの正の温度係数により、容易にパラレルスイッチングが可能 ■低EMIノイズ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- 価格：応相談
IXYS半導体：IGBT、MOSFET、FRED、SCR、DIODE、絶縁モジュール、ドライバー、DCB基板、高電圧DIODE
高速スイッチング素子、高速リカバリー整流素子
1.スイッチング速度が+1秒台 2.整流速度が+1秒台 3.2500VまでのIGBT 4.絶縁放熱型パッケージ 5.45MHz台の高速ドライバー
- 企業：株式会社トランシー
- 価格：応相談
逆導通IGBT『600 V RC-D2』
低スイッチング損失！手ごろな価格でプラグアンドプレイソリューションを提供します
SOT-223パッケージ搭載600V TRENCHSTOP『600 V RC-D2』をご紹介します。 ハードスイッチング低電力ドライブアプリケーション向けの第2世代 TRENCHSTOP RC技術は、幅広い低電力ドライブアプリケーション用に 手ごろな価格でプラグアンドプレイソリューションを提供。 向上した耐湿性をはじめ、20kHzまでの動作範囲、優れた制御性、新価格・ 性能基準といった特長を持つ製品です。 【特長】 ■競争力のある価格で低スイッチング損失 ■コントロール性の向上 ■耐湿性の向上 ■製品の設計が容易：SMDのDPAKおよびSOT-223パッケージへドロップイン交換 ■SOT-223でSMAのインバータ化が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- 価格：応相談
1200V XPT Gen4トレンチディスクリートIGBT
鉄抵抗RthJCの低減は、熱設計の簡素化ができます
『1200V XPT Gen4トレンチディスクリートIGBT』は、低、中、高速スイッチングの アプリケーションに最適化された新しいGen4IGBTです。 XPT薄型ウェハ技術と第4世代トレンチIGBTプロセスを搭載したこれらの 1200Vデバイスは、ゲート駆動要件と導通損失の低減に貢献します。 また、低い熱抵抗、低損失と高電流密度が特長です。 さらに、コレクターエミッタ電圧の正の温度係数により、複数のデバイスを 並列に使用することができます。 【メリット】 ■各アプリケーションのスイッチング周波数要件に対応するために、 A4、B4およびC4の最適化されたスイッチングクラスを提供 ■ゲート電荷量Qgの減少により、ゲートドライバ要件を低減 ■正のVCE(SAT)温度係数により並列使用が容易 ■TC＝110℃において最大140Aのコレクタ電流能力を持つ高い電力密度 ■鉄抵抗RthJCの低減により、熱設計の簡略化が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
- 企業：Littelfuse ジャパン合同会社
- 価格：応相談
1200V TRENCHSTOP IGBT7 S7
SCデバイス中で高い熱性能を提供！ハードスイッチングアプリケーションに特化して設計！
『1200V TRENCHSTOP IGBT7 S7』は、フル定格で非常にソフトな ダイオードを内蔵した製品です。 VCE（sat）の低減、制御性の向上、SCデバイス中で高い熱性能を提供し、 HV-H3TRBと宇宙線耐性により堅牢性が向上。 産業用モータードライブ、産業用電源、ソーラーインバーターなどの 短絡耐量が求められるハードスイッチングアプリケーションに特化して 設計されています。 【特長】 ■フル定格のソフトで低Qrrのダイオードを搭載したIGBT ■低飽和電圧VCE（sat）＝2.0V（Tvj＝175℃） ■ハードスイッチングトポロジーに最適化（2レベルインバータ、3L NPC Tタイプ） ■短絡耐量：8μsec ■8A、15A、25A、40A、50Aのデバイスをラインアップ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- 価格：応相談
AIKQ120N75CP2/AIKQ200N75CP2
堅牢な設計！スイッチング損失低減と冷却設計の効率化に貢献する高速動作
『AIKQ120N75CP2/AIKQ200N75CP2』は、xEV トラクション インバーター用に 設計されたインフィニオン車載用750V EDT2 ディスクリートIGBT、 To247PLUSパッケージです。 並列化により、異なる電力クラスのインバーターを同一製品で対応でき、 電力の拡張性とコストの最適化が可能。 470Vdcシステム対応のベンチマーク品質とスイッチング性能があります。 【特長】 ■コレクターエミッター間耐圧750V ■スムーズなスイッチング特性 ■きわめて低いVCE(sat)、IC(nom)=200Aで1.30V ■高い短絡耐量 ■きわめて緻密なパラメータ分布 ■低ゲート電荷QG ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- 価格：応相談
【ディスクリート】IGBT ラインアップ一覧
バイポーラデバイスの高耐圧・低オン抵抗！半導体に電圧を印加する3端子デバイス
『IGBT』は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタとも呼ばれ、 入力部がMOSFET構造、出力部がバイポーラー構造のトランジスタです。 MOSFETとバイポーラトランジスタの長所を両立させたような特性で、 MOSFETと同様に高速スイッチングが可能。 P-N-P-Nの4層からなる半導体素子により構成されて、数kVまでの 電力制御用途によく使われています。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Toshiba Nチャンネル IGBT GT60PR21,STA1F(S ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM195GB066D ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM100GB12T4 ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM145GB066D ■IXYS Nチャンネル IGBT IXGH32N170 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：アールエスコンポーネンツ株式会社
- 価格：応相談
IGBTモジュール『EconoPIM／PACK2／PACK3』
IGBT7を搭載！電力密度が高く、スイッチング周波数が向上しているため、冷却を簡素化できます
『EconoPIM／PACK2／PACK3』は、TRENCHSTOP IGBT7チップが搭載された IGBTモジュールです。 過負荷状態での連続運転温度（Tvjop）は最大175℃で、産業用ドライブ アプリケーションに好適。IGBT7は、IGBT4に比べて電力密度が高く、 スイッチング周波数が向上しているため、冷却を簡素化できます。 全体として動作条件を変えることなく、同等以上の製品寿命を実現しています。 【特長】 ■耐圧1200V、定格電流35A～200A ■Econo2、Econo3パッケージ ■PIMおよび6パックトポロジー ■TRENCHSTOP IGBT7チップ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- 価格：応相談
EconoDUAL3モジュール『FF300R12ME7_B11』
高い電力密度と性能によりシステムコスト削減！より低い電流定格を備えたラインアップ
『FF300R12ME7_B11』は、TRENCHSTOP IGBT7チップを搭載し、 300～900Aの電流定格を実現したEconoDUAL 3モジュールです。 TRENCHSTOP IGBT7技術との組み合わせにより、損失の大幅な低減、 高レベルの制御性とソフトなスイッチング、高い短絡耐量を実現。 過負荷時の最大動作温度175℃にあわせて、高い効率と電力密度を実現し、 システムの簡素化とコスト削減を可能にします。 【特長】 ■300～900Aのフルラインアップ ■1200V ■TRENCHSTOP IGBT7チップ世代 ■高電流クラス用に改良されたパッケージ（750A、900A用） ■PressFIT制御ピンとネジ式パワー端子 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- 価格：応相談
IGBTモジュール GSA100AA60
GSA100AA60 IGBTモジュール
・低スイッチング周波数領域での低損失を追求 SanRex社独自の専用IGBTチップ採用により低Vce(sat)を実現(1.12V Typ 125℃) ・小型 高信頼性パッケージ AC/DC TIG溶接機構成例 SOT-227パッケージの他デバイスとの組み合わせにより搭載機器の小型化に貢献
- 企業：旭テック株式会社 大阪本社/東京支店/名古屋営業所
- 価格：応相談
IGBTモジュール GSA75AA120
GSA75AA120 IGBTモジュール
・小型 高信頼性パッケージ 小型高信頼性のSOT-227標準パッケージ・ヒートシンクへの直接取り付けが可能・絶縁耐圧2500V・RoHS対応 ・優れた高速性能(40~70khz) 高速性能に特化したIGBTチップを採用しIGBTに合わせて最適設計した高速ダイオードを搭載
- 企業：旭テック株式会社 大阪本社/東京支店/名古屋営業所
- 価格：応相談
EconoPIM/EconoPACK2/EconoPACK3
高電力密度！設計者に最大限の柔軟性を提供する幅広いラインアップ
『EconoPIM/EconoPACK2/EconoPACK3』は、TRENCHSTOP IGBT7チップを搭載 した製品です。 6パック構成の「EconoPACKモジュール」に、50、75、100、200Aのバージョン が追加。また「EconoPIMファミリー」には、適用済みの熱伝導材料(TIM)、 はんだピン、PressFITオプションなど、お客様が選択可能なオプションを追加。 IGBT7は電力密度が高く、スイッチング周波数が向上しているため、 冷却を簡素化可能です。 【特長】 ■1200V、50A～200A ■Econo2およびEcono3パッケージ ■PIMおよび6パックトポロジー ■新しいTRENCHSTOPIGBT7チップ ■はんだピン、PressFITピンおよびTIM(熱伝導材料)塗布のオプションを選択可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- 価格：応相談
