IGBTのメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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IGBT(モジュール) - メーカー・企業と製品の一覧

更新日: 集計期間:2025年10月22日~2025年11月18日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。

IGBTの製品一覧

16~21 件を表示 / 全 21 件

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EconoDUAL3モジュール『FF300R12ME7_B11』

高い電力密度と性能によりシステムコスト削減!より低い電流定格を備えたラインアップ

『FF300R12ME7_B11』は、TRENCHSTOP IGBT7チップを搭載し、 300~900Aの電流定格を実現したEconoDUAL 3モジュールです。 TRENCHSTOP IGBT7技術との組み合わせにより、損失の大幅な低減、 高レベルの制御性とソフトなスイッチング、高い短絡耐量を実現。 過負荷時の最大動作温度175℃にあわせて、高い効率と電力密度を実現し、 システムの簡素化とコスト削減を可能にします。 【特長】 ■300~900Aのフルラインアップ ■1200V ■TRENCHSTOP IGBT7チップ世代 ■高電流クラス用に改良されたパッケージ(750A、900A用) ■PressFIT制御ピンとネジ式パワー端子 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他電子部品

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シングルスイッチIGBTモジュール 4500V/1200A

高効率なシステム設計!過負荷およびフォールトの状態に対する比類のない堅牢性

『シングルスイッチIGBTモジュール 4500V/1200A』は、TRENCHSTOP IGBT4 およびエミッターコントロールダイオード4を標準パッケージ(140×190mm2)に 搭載し、前モデル同様にS7独自の機能の有無が選択できる製品です。 MVD、T&D、輸送など、産業アプリケーションの現状および将来的な要件に 対応するよう、当社の新しいチップ世代にアップグレードされました。 また、前モデルの“FZ1200R45HL3”とは機械的特性が同じで、電気特性も きわめて近いため、移行が簡単です。 【主な特長】 ■四角形の逆バイアス安全動作領域(RB-SOA) ■高い宇宙放射線耐性(100 FIT @ 2900 V) ■高いTC耐量(30,000 サイクル@ DTc = 80 K)および  PC耐量(2百万サイクル@ DTj =40 K) ■火災防護規格EN45545-2 R22, R23:HL3取得 ■高い出力実効電流で低い導通損失 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他電子部品

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IXYS半導体:IGBT、MOSFET、FRED、SCR、DIODE、絶縁モジュール、ドライバー、DCB基板、高電圧DIODE

高速スイッチング素子、高速リカバリー整流素子

1.スイッチング速度が+1秒台 2.整流速度が+1秒台 3.2500VまでのIGBT 4.絶縁放熱型パッケージ 5.45MHz台の高速ドライバー

  • その他半導体

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【分析事例】低温顕微PL分析によるSi系IGBTチップ断面の評価

断面方向からライフタイムキラーの影響を確認することが可能です

IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)はパワー半導体モジュールとして、家電用品から産業機器まで様々な製品に使用されています。 IGBTは特性改善のためにライフタイム制御が行われていますが、この制御はドリフト層に欠陥(ライフタイムキラー)を作成することによって行われています。断面からの低温顕微PL分析を行うことによって、ライフタイムキラーに関する知見を得ることが可能です。

  • 受託解析

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EconoPIM/EconoPACK2/EconoPACK3

高電力密度!設計者に最大限の柔軟性を提供する幅広いラインアップ

『EconoPIM/EconoPACK2/EconoPACK3』は、TRENCHSTOP IGBT7チップを搭載 した製品です。 6パック構成の「EconoPACKモジュール」に、50、75、100、200Aのバージョン が追加。また「EconoPIMファミリー」には、適用済みの熱伝導材料(TIM)、 はんだピン、PressFITオプションなど、お客様が選択可能なオプションを追加。 IGBT7は電力密度が高く、スイッチング周波数が向上しているため、 冷却を簡素化可能です。 【特長】 ■1200V、50A~200A ■Econo2およびEcono3パッケージ ■PIMおよび6パックトポロジー ■新しいTRENCHSTOPIGBT7チップ ■はんだピン、PressFITピンおよびTIM(熱伝導材料)塗布のオプションを選択可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他電子部品

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Xiner Semiconductor Technology

Xinerは、2013年に設立されました。

Xinerは、2013年に設立され、我々は深セン正源科技、深セン国有資産監督管理委員会、深セン人材革新基金、大陳ベンチャーキャピタル、方光資本、厦門ファルコンと他の有名な機関から共同出資を受けています。IGBTチップ、IGBTドライバチップ、ハイパワーインテリジェントパワーモジュールの開発、応用、販売に力を注いでいます。Xiner に経験豊富で、実用的なチームがあります。主要な人員は10年以上の業界経験を蓄積しており、中国で初めてFST技術に基づくIGBT製品の量産に成功しました。Xinerは上海と深圳に研究開発センターを持ち、深圳、上海、青島、順徳、杭州に営業所を設立して、お客様のニーズに迅速に対応しています。 ザイナーは、アプリケーション指向、研究開発、オープンな協力というビジネス哲学を堅持しています。お客様のアプリケーション要件を深く探求し、IGBT関連製品の研究開発と設計に注力し、業界のベストパートナーと協力して、お客様に最も安定的でコスト効率の高いパワーデバイスを提供しています。

  • トランジスタ

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